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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PJMN060N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMN080N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMN080N65FR2_R2_00201PanjitMOSFETs 650V/ 75mO / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMN080N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11 EUR
10+7.34 EUR
100+5.26 EUR
500+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP060N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 60m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP060N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4614 pF @ 400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 23A, 10V
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.82 EUR
50+6.82 EUR
100+6.25 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP060N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP080N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP080N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 75m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP080N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3507 pF @ 400 V
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
50+5.63 EUR
100+5.14 EUR
500+4.27 EUR
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP099N60EC-T0PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 308W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.85 EUR
50+8.71 EUR
100+8.02 EUR
500+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.15 EUR
10+8.88 EUR
100+8.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP105N60FRC-T0PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP105N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.52 EUR
10+6.68 EUR
100+6.09 EUR
500+5.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP105N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 105M / 35A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP105N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP120N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 30A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP120N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.37 EUR
10+8.35 EUR
100+7.66 EUR
500+6.5 EUR
1000+6.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.33 EUR
18+4.76 EUR
50+4 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.68 EUR
50+8.51 EUR
100+7.82 EUR
500+6.6 EUR
1000+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP125N60FRC-T0PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP125N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 125M / 30A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB-L
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.03 EUR
50+5.27 EUR
100+4.81 EUR
500+4 EUR
1000+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP125N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 125mohms / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP125N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP130N65EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-650FCTMNH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP130N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.01 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP190N60E1-T0PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP190N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.59 EUR
50+3.31 EUR
100+2.99 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP190N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP190N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP210N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 19A N-CH SJUNC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
50+2.39 EUR
100+2.15 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP210N65EC_T0_00601PanjitMOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 2812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+2.37 EUR
100+2.12 EUR
500+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP310N65EC-T0PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
50+1.67 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP390N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 10A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP390N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP900N60EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-600CTMNH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP900N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+5 EUR
100+4.05 EUR
500+3.59 EUR
1000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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PJMP990N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 4.7A N-CH
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PJMP990N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.61 EUR
2000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PJMP990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
14+1.51 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
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PJMQC040N10NS2_R2_00601PanjitMOSFETs 100V/ 4.4mohm/ Excellect low FOM MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
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