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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
Si6866DQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6869
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SI6874SILICONIX
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SI6874EDQVISHAY
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SI6874EDQ-T1
auf Bestellung 45000 Stücke:
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Si6874EDQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
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Si6874EDQ-T1-E3VishayN-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET Транзистори
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SI6875DQ-T1VISHAY2002+
auf Bestellung 59450 Stücke:
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Si6875DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
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SI6875DY-T1-E3
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SI6876BEDQ-T1-E3
auf Bestellung 1050 Stücke:
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SI6876EDQ-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6876EDQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6880AEDQ-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6880EDQ-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6880EDQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6912DQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913SILICONIX
auf Bestellung 810 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TSSOP P CHAN 12V
auf Bestellung 7006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.32 EUR
10+3.44 EUR
100+2.45 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.95 EUR
3000+1.64 EUR
9000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.05 EUR
168+1 EUR
170+0.95 EUR
172+0.9 EUR
250+0.86 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.67 EUR
100+2.14 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
85+2.76 EUR
100+2.42 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
auf Bestellung 6564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+3.03 EUR
100+2.05 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.27 EUR
6000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.04 EUR
6000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.03 EUR
102+1.65 EUR
103+1.57 EUR
132+1.18 EUR
250+1.12 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 15688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6923VISHAY
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6923DQSI07+ SSOP8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6923DQ-T1SILICONIXSI2003
auf Bestellung 249207 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6923DQ-T1-E3
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6923DQT1VISHAY
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6924AEDQVISHAY
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6924AEDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6924AEDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6924AEDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6924AEDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6924ESILICONIX
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6924EDQSILICON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6924EDQ-T1SILICONIXSSOP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6925N/A
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6925ADQVISHAY05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6925ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6925ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6925ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6925ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6925DQ-T1
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6925DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.96 EUR
6000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
auf Bestellung 8985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
12+1.9 EUR
100+1.48 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TSSOP N CHAN 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.67 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
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SI6926ADQ-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
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175+0.96 EUR
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500+0.81 EUR
1000+0.67 EUR
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SI6926ADQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
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SI6926ADQ-T1-GE3
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SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6926ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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12+1.82 EUR
15+1.49 EUR
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500+0.98 EUR
1000+0.8 EUR
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SI6926ADQ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI6926ADQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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107+2.34 EUR
132+1.76 EUR
137+1.57 EUR
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1000+1.45 EUR
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
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SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
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3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI6926ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.75 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI6926ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
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120+1.46 EUR
133+1.26 EUR
135+1.2 EUR
175+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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SI6926ADQ-TE2SOP-8
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SI6926AEDQ-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.5A 0.83W
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI6926AEDQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.5A 1.0W 30mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI6926DQVISHAY
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SI6926DQ-T1SILICONIX1999
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Si6926DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6926EDQ-T1
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SI6928SILICONIX
auf Bestellung 600 Stücke:
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SI6928DQ
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SI6928DQ-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
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Si6928DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
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Si6928DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6928DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI6928DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP
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SI6928DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP
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SI6928DQ-TI-E3
auf Bestellung 1258 Stücke:
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SI6932DQ-T1
auf Bestellung 7030 Stücke:
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SI6933SILICONIX
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6933DQFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
614+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
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SI6933DQVISHAY
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6933DQonsemi / FairchildMOSFETs 30V/25V PCh MOSFET Dual
Produkt ist nicht verfügbar
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SI6933DQ-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6933DQ-T1-E3VISHAYSSOP8
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6933DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI6933DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI6943SILICONIX
auf Bestellung 4563 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6943BSILICONIX
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6943BDQ-T1
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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