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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
WNSC2D301200W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.42 EUR
28+8.47 EUR
100+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D301200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D301400CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D301400W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D30650CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D30650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.6 EUR
30+8.48 EUR
120+7.14 EUR
510+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D30650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.92 EUR
32+7.38 EUR
100+5.3 EUR
500+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D30650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.11 EUR
30+8.18 EUR
120+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D30650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D401200CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D401200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D401200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D401200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D401200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D401400W6QWeEn Semiconductors WNSC2D401400W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D501200CW6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D501200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D501200W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.19 EUR
12+20.66 EUR
15+15.05 EUR
50+13.9 EUR
100+13.44 EUR
250+12.94 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D501200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D601200W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.34 EUR
16+14.53 EUR
20+11.09 EUR
50+10.17 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D601200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D601200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D601700W6QWeEn Semiconductors WNSC2D601700W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2D801200W6QWeEn Semiconductors WNSC2D801200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M100065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M100065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M100065RS6QWeEn Semiconductors WNSC2M100065RS/TO247-4L NL/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M100065TL6JWeEn Semiconductors WNSC2M100065TL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M100065W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M100065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M12065R6QWeEn Semiconductors WNSC2M12065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M12120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M12120TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M12120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M12140R6QWeEn Semiconductors WNSC2M12140R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120B7-A6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120B76JWeEn SemiconductorsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 20.3A; Idm: 58A; 231W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20.3A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 231W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120R-A6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+4.8 EUR
100+3.47 EUR
480+2.92 EUR
1200+2.64 EUR
2640+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120RS6QWeEn Semiconductors WNSC2M150120RS/TO247-4L NL/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120TB-A6JWeEn Semiconductors WNSC2M150120TB-A/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120TB6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120W-A6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M150120W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16.5A; Idm: 46A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M1K0170B7-AJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2M1K0170B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M1K0170B7JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M1K0170J6QWeEn Semiconductors WNSC2M1K0170J/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M1K0170JQWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M1K0170J/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M1K0170WQWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M1K0170WQWeEn SemiconductorsDescription: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M20065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M20065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M20065TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M20065TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M20120B7-A6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M20120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M20120R-A6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M20120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M20120R6QWeEn SemiconductorsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WNSC2M25065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M25065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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WNSC2M30120TB6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M30120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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WNSC2M40120B76JWeEn SemiconductorsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 61A; Idm: 170A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 500W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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WNSC2M40120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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WNSC2M40120TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M40120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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WNSC2M40120W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs Silicon Carbide MOSFET in a TO-247
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WNSC2M40140R6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2M40140R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M43065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M43065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M45065B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M45065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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WNSC2M45065R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M45065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M45065W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M45065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M55065R6QWeEn Semiconductors WNSC2M55065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M60120B7-A6JWeEn Semiconductors WNSC2M60120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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WNSC2M60120R-A6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M60120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M60120W-A6QWeEn Semiconductors WNSC2M60120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M60120W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2M60120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M70065B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M70065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M75120B7-A6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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WNSC2M75120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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WNSC2M75120R-A6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M75120R6QWeEn SemiconductorsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38.1A; Idm: 100A; 366W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38.1A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 366W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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WNSC2M75120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M75120TB-A6JWeEn Semiconductors WNSC2M75120TB-A/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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WNSC2M75120W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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WNSC2M75120W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30.3A; Idm: 80A; 231W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30.3A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 231W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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WNSC2M75170B76JWeEn Semiconductors WNSC2M75170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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