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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLR8256TRInternational RectifierN-MOSFET 25V 81A 63W 0.0057Ω IRLR8256 TIRLR8256
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8256TR
Produktcode: 174885
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8256TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8256TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 63
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8256TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.26 EUR
147+1.15 EUR
176+0.95 EUR
250+0.86 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8256TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 25V 81A 5.7mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 5302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+1.29 EUR
100+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8256TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8256TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 81
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8256TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.49 EUR
132+1.26 EUR
137+1.17 EUR
147+1.05 EUR
176+0.84 EUR
250+0.75 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8256TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8259Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8259PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8259PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR8259PBF - IRLR8259 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8259TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8259TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8259TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 25V 57A 8.7mOhm 6.8nC LogLvl
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.52 EUR
100+1.12 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.73 EUR
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8259TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 57A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8259TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8259TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8259TRPBFInfineon
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503IR07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503PBF
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8503TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8713
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8713PBF
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8721Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8721PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8721PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 8.5nC
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+2.14 EUR
75+1.65 EUR
525+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8721TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8721TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8721TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRLR8721TRPBFInfineonMOSFET N-CH 30V 65A DPAK (TO-252-3) Транзистори
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3+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRLR8721TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR8721TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
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IRLR8721TRPBF-1Infineon / IRInfineon
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IRLR8721TRPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR8726HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726 HXY MOSFET TIRLR8726 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR8726
auf Bestellung 2380 Stücke:
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IRLR8726Infineon Technologies
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IRLR8726TECH PUBLICTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 181W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP0015528 IRLR8726 TO252 TIRLR8726 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR8726PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
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IRLR8726PBF
Produktcode: 106471
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 61 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2150/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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3+0.42 EUR
10+0.37 EUR
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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IRLR8726PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLR8726PBFInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 110 Stücke:
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IRLR8726PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726PBFInternational RectifierN-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRInfineonTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR UMW TIRLR8726 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLR8726TRInfineonTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLR8726TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR JGSEMI TIRLR8726 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR8726TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR UMW TIRLR8726 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR8726TR-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,4mOhm; 90A; 39W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR-CN CHIPNOBO TIRLR8726 CNB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1528+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1528 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRLPBFInfineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1528+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1528 Stücke
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IRLR8726TRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR8726TRLPBF - IRLR8726TRLPBF - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1432+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1432 Stücke
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IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1528+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1528 Stücke
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IRLR8726TRLPBFInternational RectifierN-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.55 EUR
100+0.96 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 11137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1528+0.42 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1528 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 53538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.84 EUR
50+1.38 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
146+1.59 EUR
250+1.31 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
683+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 683 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInternational RectifierN-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
auf Bestellung 12071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.38 EUR
100+1.24 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.81 EUR
4000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
498+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.81 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6175 Stücke:
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100+2.77 EUR
146+1.59 EUR
250+1.31 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.86 EUR
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IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR8726TRPBF
Produktcode: 192200
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLR8726TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3602 Stücke:
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IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8729Infineon Technologies
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IRLR8729-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 49W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8729; IRLR8729TRL; IRLR8729TR; SP001574172; SP001552874; SP001569082; IRLR8729-CN CHIPNOBO TIRLR8729 CNB
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
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100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR8729PBFInternational RectifierN-CH 30V 58A DPAK Транзистори
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IRLR8729PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC
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IRLR8729PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
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IRLR8729TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 46W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8729; IRLR8729TRL; IRLR8729TR; SP001574172; SP001552874; SP001569082; IRLR8729TR JSMICRO TIRLR8729 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLR8729TRLInfineonTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 58A; 55W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8729; IRLR8729-GURT; IRLR8729TRL; IRLR8729TR; replacement is: IPD090N03LGATMA1; IRLR8729 TIRLR8729
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRLR8729TRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRLR8729TRLPBF
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.54 EUR
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IRLR8729TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 58A 8.9mOhm 30V 10nC Qg log lvl
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IRLR8729TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
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IRLR8729TRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR8729TRLPBF - IRLR8729 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLR8729TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.42 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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IRLR8729TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLR8729TRPBF
Produktcode: 169667
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLR8729TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8729TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
138+1.68 EUR
141+1.52 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8729TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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