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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF6712STRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+1.43 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6712STRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6713STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6713STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6713STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.89 EUR
100+1.73 EUR
103+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6714MTRPBF - IRF6714 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 57902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
288+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 288 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+1.98 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 56738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
203+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+1.98 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
auf Bestellung 4753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.15 EUR
10+4.65 EUR
100+3.72 EUR
500+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+1.98 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.26 EUR
92+1.83 EUR
100+1.62 EUR
103+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+2.84 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.63 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.84 EUR
67+2.32 EUR
100+2.21 EUR
250+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.84 EUR
67+2.45 EUR
100+2.39 EUR
250+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.47 EUR
49+4.78 EUR
100+3.15 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.95 EUR
10+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6716MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6716MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
auf Bestellung 89960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
216+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6716MTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6716MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
auf Bestellung 86468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
216+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6716MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 39nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTR1PBF
Produktcode: 34497
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFInfineon
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 15268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.72 EUR
35+4.7 EUR
100+3.69 EUR
250+3.5 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.51 EUR
3000+2.5 EUR
6000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.19 EUR
10+4.69 EUR
100+3.28 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.59 EUR
250+3.62 EUR
1000+3.05 EUR
2000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.57 EUR
30+5.77 EUR
50+5.58 EUR
100+4.45 EUR
200+4.14 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.27 EUR
2000+3.07 EUR
4800+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 23 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6717MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.54 EUR
50+5.59 EUR
250+3.62 EUR
1000+3.05 EUR
2000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6718L2PBFIOR2007
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6718L2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6718L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6718L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 270 A, 500 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: DirectFET L6
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6718L2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 0.7mOhms 64nC
auf Bestellung 6161 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6718L2TRPBF
Produktcode: 98275
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6718L2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET L6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 270A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6718L2TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6718L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 270 A, 500 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6720S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6720S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6720S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STR1PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
597+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
597+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
517+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 517 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 5959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
597+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6721STRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
597+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6722MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6722MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6722MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET MP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6722MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
332+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6722MTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6722STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6722STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6722STRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6723M2DTR1PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6723M2DTR1PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6723M2DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6724MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6724MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6724MTRPBFInfineon
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6724MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 33nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6724MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
205+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6724MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6725MTR1PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.81 EUR
10+5.21 EUR
100+4.19 EUR
500+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6725MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6725MTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+4.14 EUR
100+3.31 EUR
250+3.06 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.37 EUR
2000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6725MTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6725MTRPBFInfineon
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6725MTRPBF
Produktcode: 124996
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6725MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6726MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6726MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6726MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
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