Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| IRF6712STRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R | auf Bestellung 4238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6712STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET | auf Bestellung 4760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6712STRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R | auf Bestellung 4600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6712STRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 36W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6712STRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R | auf Bestellung 4238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6713STR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6713STR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6713STRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Packaging: Bulk | auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6714MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6714MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6714MTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC | auf Bestellung 4753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 3025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 1342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6714MTRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 56738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6714MTRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6714MTRPBF - IRF6714 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 57902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6715MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6715MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6715MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6715MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6715MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6715MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6715MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6715MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6715MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6715MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6715MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R | auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6716MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6716MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 39nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6716MTRPBF | Infineon Technologies | Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Bulk | auf Bestellung 89960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6716MTRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6716MTRPBF | International Rectifier | Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V | auf Bestellung 86468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6717MTR1PBF Produktcode: 34497
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6717MTR1PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6717MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6717MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6717MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6717MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6717MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6717MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6717MTRPBF | Infineon | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6717MTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6717MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6717MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 15268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6717MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6717MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6717MTRPBF | Infineon Technologies | IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6718L2PBF | IOR | 2007 | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6718L2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 270A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 13 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6718L2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6718L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 270 A, 500 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage Verlustleistung: 83 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6718L2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 0.7mOhms 64nC | auf Bestellung 6161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6718L2TRPBF Produktcode: 98275
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6718L2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6718L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 270 A, 500 µohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 270 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 83 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 83 Bauform - Transistor: DirectFET L6 Anzahl der Pins: 13 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 500 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6718L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 270A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6720S2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 17W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric S1 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6720S2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 17W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric S1 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6720S2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6721STR1PBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6721STR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6721STR1PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6721STRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R | auf Bestellung 5959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6721STRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6721STRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R | auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6721STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6721STRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6721STRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R | auf Bestellung 3778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6722MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6722MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6722MTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6722MTRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) | auf Bestellung 1142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6722MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET MP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6722STR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6722STR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6722STRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6723M2DTR1P | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6723M2DTR1P | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6723M2DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6724MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6724MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6724MTRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Bulk | auf Bestellung 1524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6724MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6724MTRPBF | Infineon | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6724MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 33nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6725MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX | auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6725MTR1PBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF6725MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6725MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6725MTRPBF Produktcode: 124996
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF6725MTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6725MTRPBF | Infineon | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF6726MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6726MTR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6726MTR1PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF6726MTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R | auf Bestellung 9501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6726MTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V | auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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