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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLZ34NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
auf Bestellung 4194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.82 EUR
87+0.98 EUR
104+0.82 EUR
113+0.75 EUR
250+0.68 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.01 EUR
184+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1 EUR
182+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB
auf Bestellung 5368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.38 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFInternational Rectifier(HEXSFET N-CH LOG LEV VDSS=60V ID=30A) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 9021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+2 EUR
50+1.5 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.29 EUR
147+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.92 EUR
2000+0.8 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.31 EUR
147+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBF
Produktcode: 40555
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 880/25
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 96 St.
  • 96 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.88 EUR
10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
100+2.32 EUR
128+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NPBF/IRIR08+;
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSPBFInternational RectifierTO-263 (D2PAK) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLUMWTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLZ34S; IRLZ34NS; IRLZ34NSTRL; SP001568692; SP001573060; IRLZ34NSTRL UMW TIRLZ34ns UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 23503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
50+1.93 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.07 EUR
168+1.01 EUR
170+0.96 EUR
172+0.92 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.59 EUR
500+1.19 EUR
800+1.05 EUR
2400+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.06 EUR
87+2 EUR
88+1.94 EUR
100+1.67 EUR
121+1.36 EUR
250+1.3 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 11714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
109+1.96 EUR
133+1.62 EUR
250+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.05 EUR
100+1.93 EUR
250+1.81 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.06 EUR
2400+1 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 23200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.29 EUR
2400+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1 EUR
2400+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBF
Produktcode: 172480
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.52 EUR
93+1.83 EUR
110+1.49 EUR
800+1.13 EUR
2400+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 11714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
93+2.51 EUR
109+1.96 EUR
133+1.62 EUR
250+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.05 EUR
170+1.02 EUR
172+0.99 EUR
250+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.05 EUR
2400+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1 EUR
2400+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
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IRLZ34PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRLZ34PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 60V 30A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.57 EUR
100+2.28 EUR
500+1.87 EUR
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IRLZ34PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLZ34PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRLZ34PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N CHAN 60V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.18 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.55 EUR
5000+1.46 EUR
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IRLZ34PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A
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IRLZ34PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
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IRLZ34S
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLZ34SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34SPBFVishay / SiliconixMOSFETs 60V 5mOhms@60V 30A N-Ch
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IRLZ34SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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IRLZ44VishayN-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω CDZ44 IRLZ44N TIRLZ44
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLZ44Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ
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IRLZ44IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
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IRLZ44LVishay / SiliconixMOSFETs
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IRLZ44LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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IRLZ44N
Produktcode: 218294
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLZ44; IRLZ44-BE3; IRLZ44N; SP001568772; IRLZ44N UMW TIRLZ44n UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, 55V, 41A, 22 mOhm, 32 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 60A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLZ44; IRLZ44-BE3; IRLZ44N; SP001568772; IRLZ44N HXY MOSFET TIRLZ44n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NUMWIRLZ44NPBF (MFET,N-CH,60V,50A,110W,TO-220AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44N-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLZ44; IRLZ44-BE3; IRLZ44N; SP001568772; IRLZ44N-CN CHIPNOBO TIRLZ44n CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 47A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 47A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 135756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+1 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 17477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
11+2.09 EUR
50+1.57 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 135757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.09 EUR
180+0.94 EUR
190+0.86 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
4000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
auf Bestellung 29620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+1.55 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.84 EUR
4000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 41944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.5 EUR
87+2.67 EUR
112+1.92 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.71 EUR
184+0.95 EUR
193+0.88 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 47 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 22 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44NPBF
Produktcode: 35365
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 41 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 405 St.
  • 405 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.76 EUR
10+1.58 EUR
100+1.42 EUR
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IRLZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22000 Stücke:
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4000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLZ44NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 32nC
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
auf Bestellung 4429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+2.09 EUR
59+1.45 EUR
77+1.12 EUR
100+1.01 EUR
250+0.88 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
1250+0.71 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRLZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3005 Stücke:
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66+2.7 EUR
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193+0.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRLZ44NPBF-HXYHXY MOSFETIRLZ44NPBF-HXY IRLZ44NPBF (MFET,N-CH,60V,50A,110W,TO-220AB) Транзистори
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IRLZ44NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRLZ44NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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IRLZ44NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC
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IRLZ44NSPBFInfineonMOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Транзистори
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IRLZ44NSTRLInfineonTransistor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLZ44NSTR; IRLZ44NS; IRLZ44NSTRL; IRLZ44NS-GURT; IRLZ44NS SMD; IRLZ44NSTRL TIRLZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
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20+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRLZ44NSTRLInfineonTransistor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLZ44NSTR; IRLZ44NS; IRLZ44NSTRL; IRLZ44NS-GURT; IRLZ44NS SMD; IRLZ44NSTRL TIRLZ44ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRLZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
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73+2.43 EUR
107+1.58 EUR
800+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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IRLZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLZ44NSTRLPBF
Produktcode: 75607
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl
auf Bestellung 2216 Stücke:
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1+3.69 EUR
10+2.34 EUR
100+1.64 EUR
500+1.25 EUR
2400+1.23 EUR
4800+1.19 EUR
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IRLZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 104000 Stücke:
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800+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLZ44NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLZ44NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
120+1.8 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLZ44NSTRLPBFInfineonMOSFET N-CH 55V 47A TO-263-3 (D2PAK) Транзистори
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLZ44NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.69 EUR
91+1.92 EUR
133+1.27 EUR
800+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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