Produkte > BC6
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BC63916-D27Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D74Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 1226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC63916-D74Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D74Z | onsemi | Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP | auf Bestellung 12520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC63916-D74Z | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.83W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Formed Current gain: 100...250 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D74Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D74Z | ON-Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold Substitute: BC63916_D74Z; BC63916D74Z; BC63916-D74Z TO92(Fan-Fold) ONSEMI TBC63916-D74Z | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916_D27Z | ONS/FAI | Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 800mW; TO92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916_D74Z_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916_J35Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63916_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC6398 | MINILOGIC | SOP24 | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639BU | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639BU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639G Produktcode: 84971
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BC639G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 375000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639G | On Semiconductor | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639RL1 | NXP | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639RL1 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639RL1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639RL1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639RL1G | On Semiconductor | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92), замена BF422 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639RL1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639RL1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639ZL1 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639ZL1G | ON | TO-92 10+ | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639ZL1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 56000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639ZL1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639ZL1G | On Semiconductor | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639_D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639_D81Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639_J35Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC639_L34Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A04-AQK-E4 | Qualcomm | BC63B239A04-AQK-E4 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63B239A04-AQK-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 40QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 40-QFN Sensitivity: -90dBm Frequency: 2.4GHz Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Type: TxRx + MCU Power - Output: 10dBm Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 1 Data Rate (Max): 3Mbps RF Family/Standard: Bluetooth Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC63B239A04-AQK-E4 | Qualcomm | BC63B239A04-AQK-E4 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63B239A04-IKB-E4 | CSR | BGA?? | auf Bestellung 1158 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A04-IQD-E4 | Qualcomm | Single Chip Bluetooth v2.1 EDR System | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A04-IQD-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 40QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 40-QFN (6x6) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 10dBm Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A04-IQD-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 40QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 40-QFN (6x6) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 10dBm Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A04-IQD-E4 | CSR | QFN?? | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A04-IUE-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 51WLCSP DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 51-WLCSP (3.16x3.44) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 7dbm Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 51-UFBGA, WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A04-IYB-E4 | CSR | 09+PbF | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A04-IYB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 51WLCSP DigiKey Programmable: Not Verified Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 7dbm Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 51-UFBGA, WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 51-WLCSP (3.16x3.44) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A05-AQK-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 40UFQFN Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 1 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 4MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Sensitivity: -90dBm Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A05-AQK-E4C | Qualcomm | Description: IC BC6ROM AUTO SDIO/UART 40-QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad Sensitivity: -90dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Memory Size: 4MB ROM, 48kB RAM Type: TxRx + MCU Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Power - Output: 8dBm Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 1 Data Rate (Max): 3Mbps RF Family/Standard: Bluetooth Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63B239A05-AQK-E4V | Qualcomm | Description: IC BC6ROM AUTO SDIO/UART 40-QFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC63C159A03-GIVA-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 64BGA Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Sensitivity: -90dBm Package / Case: 64-BGA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC63C159A03-GIVA-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 64BGA Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Sensitivity: -90dBm Package / Case: 64-BGA Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 3978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC63C159A03-IQB-E4 | CSR | QFN | auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63C159A03-IQB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 48QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 48-QFN (7x7) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC63C159A03-IQB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 48QFN Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth DigiKey Programmable: Not Verified Supplier Device Package: 48-QFN (7x7) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC63C159A03U | CSR | 08+ | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63M100 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses 63M100 415VAC INDUST | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63M100 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE 63M100 500V AC INDUSTRIAL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63M80 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE 63M80 500V AC INDUSTRIAL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC63M80 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses 63M80 415VAC INDUST | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640 | NXP | (PNP,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BC640 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 12188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC640 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640 | MIC | Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI; BC640 TBC640 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC640 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640 | CDIL | Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 325 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | verfügbar 260 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 24267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC640 Produktcode: 3455
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Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-92 Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz Spannung Uce, V: 80 V Spannung Ucb, V: 80 V Strom Ic, A: 1 A Stromverstärkung h21, max: 250 ZCODE: 8541 21 00 90 | auf Bestellung: 502 St.
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| BC640 | Samsung | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640 | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640 | Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 100 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 500000 Stücke | verfügbar 28 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640,112 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640,116 | NXP | TO 92 Транзистори | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC640,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640-(TO-92) | KLS | BC640-(TO-92) BC640 PNP, 80V, 1A, 0.8W, TO-92 Транзистори | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC640-016G | auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC640-016G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640-10 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 0.83W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Current gain: 63...160 Mounting: THT Frequency: 100MHz | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC640-16 | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC640-16-LGE; BC640-16-CDI; BC640-16 JSMICRO TBC64016 JSM | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640-16 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640-16 | LGE | BC640-16 BC640 TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640-16 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 0.83W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Current gain: 100...250 Mounting: THT Frequency: 100MHz | auf Bestellung 7520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC640-16G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 100V 1A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 830 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640BU | FAIRCHILD | TRANSISTOR PNP 80V 1A TO-92 | auf Bestellung 1581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC640BU Produktcode: 31106
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP ZCODE: 8541 21 00 90 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BC640BU | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BC640BU | ONS/FAI | TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
