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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMG2302UKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2302UKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG2302UKQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.5 EUR
556+0.42 EUR
569+0.38 EUR
582+0.37 EUR
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
903+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 903 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 25A; 1.2W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.2W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXDiodes Inc./ZetexTrans MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13Diodes ZetexAutomotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13
Produktcode: 181611
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 72501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.94 EUR
503+0.46 EUR
720+0.3 EUR
1072+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 808 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 4,5 В, Rds = 52 мОм @ 4,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 900 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 72501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.94 EUR
503+0.46 EUR
720+0.3 EUR
1072+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-13Diodes Inc./ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOh -5A
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.74 EUR
562+0.42 EUR
807+0.26 EUR
1075+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7DIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7Diodes Inc./ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 5000000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.74 EUR
562+0.42 EUR
807+0.26 EUR
1075+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7DIODES/ZETEXTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UX-7Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 808 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 4,5 В, Rds = 52 мОм @ 4,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMG2305UX-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMG2305UX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMG2305UX-7Diodes Inc./ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори
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DMG2305UX-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886.6 pF @ 10 V
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
32+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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DMG2305UX-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886.6 pF @ 10 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
auf Bestellung 106906 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.56 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UXQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.86 EUR
470+0.5 EUR
747+0.29 EUR
1009+0.21 EUR
1153+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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DMG2305UXQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UXQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.86 EUR
470+0.5 EUR
747+0.29 EUR
1009+0.21 EUR
1153+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2305UXQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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DMG2307LDiodes Incorporated
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 760mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 12440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+0.93 EUR
633+0.37 EUR
758+0.29 EUR
944+0.23 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
auf Bestellung 674279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
40+0.54 EUR
100+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
521+0.44 EUR
730+0.3 EUR
848+0.25 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.051 EUR
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
auf Bestellung 49589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.052 EUR
15000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 674000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
75000+0.12 EUR
150000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
521+0.44 EUR
730+0.3 EUR
848+0.25 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7DiodesMOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.057 EUR
15000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.062 EUR
9000+0.058 EUR
15000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 G24..DIODES/ZETEXP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A DMG2307L TDMG2307l
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7-50Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7-52Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Ch Enhancement Mode
auf Bestellung 3941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 71575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
38+0.55 EUR
100+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
362+0.64 EUR
521+0.42 EUR
695+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2307LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
362+0.64 EUR
521+0.42 EUR
695+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG263010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG263010RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG263020RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG263020RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI5
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264010RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
auf Bestellung 6683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264020RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
auf Bestellung 3043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264020RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264040RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264040RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264050RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264050RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264060RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264060RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264120RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264120RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
auf Bestellung 6948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264H00RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG264H00RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG300LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; for DIN rail mounting; LCD; 128x80
Manufacturer series: DMG
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Illumination: yes
AC current measuring range: 10mA...6A
Dimensions (W x H x D): 71.6x90x63mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.2%
AC current measuring accuracy: ±0.2%
Active power measuring accuracy: ±0.5%
AC voltage measuring range: 10...480V
Display resolution: 128x80
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: AC current; active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP1001; EXP1013; EXP1020
Measuring instrument features: FFT up to 31st harmonic; multilanguage menu
Kind of measurement: indirect with 1A current transformer; indirect with 5A current transformer
IP rating: IP20 at terminal side; IP40 (from the front)
Kind of display used: LCD
Type of meter: network parameters
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NUDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.21 EUR
50000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.58 EUR
444+0.38 EUR
583+0.29 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+0.75 EUR
300+0.56 EUR
444+0.37 EUR
583+0.26 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
782+0.32 EUR
918+0.25 EUR
944+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 782 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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