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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HT8GDRABF7Eaton ElectricalPushbutton Switches ILL RD PB W/GUARD 120V FV LED W/NO/NC
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HT8GDRABL1Eaton ElectricalPushbutton Switches ILL RD PB W/GUARD 120V XFMR LED W/NO/NC
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HT8GDRABT1Eaton ElectricalPushbutton Switches ILL RD PB W/GRD 120V XFMR INC&. W/NO/NC
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HT8GDRABV3Eaton ElectricalPushbutton Switches ILL RD PB W/GUARD 24V FV INC&. W/NO/NC
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HT8GDRABV7Eaton ElectricalPushbutton Switches ILL RD PB W/GRD120V FV Res INC&. W/NO/NC
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HT8GDRBF3Eaton ElectricalPushbutton Switches - Industrial ILLUM RED PB w/ GUARD, 24V FV, LED W/ NC
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HT8GDRBF7Eaton ElectricalPushbutton Switches ILL WHT PB W/GUARD 24V FV LED W/NO/NC
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HT8GDWBF3Eaton ElectricalPushbutton Switches - Industrial ILLUM WHT PB w/ GUARD, 24V FV, LED W/ NC
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HT8GDWF3Eaton ElectricalPushbutton Switches ILLUM YEL PB w/ GUARD, 24V FV, LED W/ NC
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HT8GDYAF7Eaton ElectricalPushbutton Switches ILLUM YEL PB w/ GUARD, 120V FV, LED
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HT8GDYBF3Eaton ElectricalPushbutton Switches - Industrial ILLUM YEL PB w/ GUARD, 24V FV, LED W/ NC
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HT8GDYBL1Eaton ElectricalPushbutton Switches PUSH-TO-TEST Indic LGT 120V FV LED AMB
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HT8GDYF1Q1F3Eaton ElectricalPushbutton Switches PUSH-TO-TEST Indic LGT 120V FV INC&AMB
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HT8GDYF3Eaton ElectricalPushbutton Switches PUSH-TO-TEST Indic LGT 120V FV INC&BU
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HT8GDYF7Eaton ElectricalPushbutton Switches PUSH-TO-TEST Indic LGT 24V FV LED CLEAR
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+611.98 EUR
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HT8GTAF3Eaton ElectricalDescription: PILOT LIGHT, AMBER, 30MM, LED
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HT8GTAF7Eaton ElectricalDescription: PILOT LIGHT, AMBER, 30MM, LED
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HT8GTCF7Eaton ElectricalDescription: PILOT LIGHT, CLEAR, 30MM, LED
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HT8GTGF3Eaton ElectricalDescription: PILOT LIGHT, GREEN, 30MM, LED
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HT8GTWF3Eaton ElectricalDescription: PILOT LIGHT, WHITE, 30MM, LED
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HT8GTWF7Eaton ElectricalDescription: PILOT LIGHT, WHITE, 30MM, LED
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HT8GTYF7Eaton ElectricalDescription: PILOT LIGHT, YELLOW, 30MM, LED
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HT8GTYF7Eaton ElectricalIndustrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators PUSH-TO-TEST Indic LGT 120V FV LED YE
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HT8HBAL1Eaton ElectricalIndustrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators INDICATING LIGHT, 120V XFRMR LED, AMBER
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HT8HFGF7EatonHT8HFGF7
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+67.94 EUR
5+64.43 EUR
10+61.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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HT8HFYF3Eaton ElectricalDescription: PILOT LIGHT, YELLOW, 30MM, LED
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HT8HFYF7Eaton ElectricalIndustrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators INDICATING LIGHT, 120V FV LED, YELLOW
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HT8JAH3AAA5Eaton ElectricalControl Switches 4-POS SEL SW BLK LEVER maintd 2NO-2NC
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HT8JAH3AAB-POPEaton ElectricalSelector Switches 2POS MTN SEL SW NO/NC W/LEGEND PLS IN CS
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HT8JAH3AF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30
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HT8JBH1DAB-POPEaton ElectricalSelector Switches 2POS SEL SW BLK LVR Sprng RTN LEFT W/1NO
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HT8JBH1DF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,3POS,30
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HT8JCH8EEaton ElectricalDescription: SHORTHANDLESELECTORSWITCH,BLK,4P
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HT8JCH8EF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,4POS,30
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HT8JDH3AAA5Eaton ElectricalControl Switches 2POS SEL SW BLK KNOB SPRG RTN RT W/2NO-2
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HT8JFH8EEaton ElectricalDescription: LONGHANDLESELECTORSWITCH,BLACK,4
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HT8JFH8EF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,4POS,30
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HT8JKH3AA5Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30
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HT8JKH3AAA5Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8JKH3AF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30
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HT8JKH3AF1Q1Eaton ElectricalSelector Switches 2POS SEL SW BLK KNOB SPRG RTN LEFT W/2NO
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HT8JLH3AAA5Eaton ElectricalControl Switches 3POS SEL SW BLK KNOB SPRG RTN RT W/2NO-2
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HT8JLH3AF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30
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HT8JNH3AA5Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30
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HT8JNH3AAA5Eaton ElectricalControl Switches 3POS SEL SW BLK KNOB SPR RTN BOTH OP ONL
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HT8JNH3AAA5Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30
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HT8JNH3AF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30
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HT8JPH3AA5Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8JPH3AAA5Eaton ElectricalControl Switches 3POS SEL SW BLK LEVER SPR RTN BOTH OP ON
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8JPH3AAA5Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8JSH1DEaton ElectricalControl Switches 3POS SEL SW BLK LVR SPR RTN LEFT OP ONLY
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HT8JSH1DAA5Eaton ElectricalControl Switches 3POS SEL SW BLK LVR Sprng RTN LEFT W/2NO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8JSH1DF1Q1Eaton ElectricalControl Switches 3POS SEL SW BLK LVR Sprng RTN LEFT W/2NO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8JSH1DF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,3POS,30
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8JUH1DF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,3POS,30
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8JVH1DF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,3POS,30
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8JXH1DAB-POPEaton ElectricalControl Switches 3POS MOM SEL SW NO/NC W/LEGEND PLS IN CS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8JXH1DF1Q1Eaton ElectricalDescription: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,3POS,30
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KA5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V 12A, Dual Nch+Pch, HSMT8, Power MOSFET : HT8KA5 is a power MOSFET with low on-resistance and High power small mold package, suitable for Switching and Motor drives applications.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KA6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V 15A, Dual Nch+Pch, HSMT8, Power MOSFET : HT8KA6 is a power MOSFET with low on-resistance and High power small mold package, suitable for Switching and Motor drives applications.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5A 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.67 EUR
122+1.4 EUR
133+1.25 EUR
200+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
25+1.59 EUR
100+1.27 EUR
250+1.11 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.63 EUR
100+1.17 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
138+1.56 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 N CHAN 40V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 90-94 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.26 EUR
25+1.94 EUR
100+1.55 EUR
250+1.4 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
89+2.62 EUR
138+1.56 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KB6TB1Rohm SemiconductorHT8KB6TB1
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.63 EUR
124+1.37 EUR
145+1.14 EUR
200+1.06 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC5TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.09 EUR
110+2.12 EUR
165+1.3 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.68 EUR
121+1.4 EUR
132+1.26 EUR
200+1.17 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC5TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.09 EUR
110+2.12 EUR
165+1.3 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
auf Bestellung 2928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
12+1.9 EUR
25+1.61 EUR
100+1.27 EUR
250+1.12 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 5785 Stücke:
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2+2.24 EUR
10+1.63 EUR
100+1.18 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.9 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 3755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+1.98 EUR
100+1.77 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.23 EUR
6000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
95+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
auf Bestellung 2901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.61 EUR
25+2.23 EUR
100+1.78 EUR
250+1.57 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin HSMT EP
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.56 EUR
80+2.14 EUR
100+1.92 EUR
200+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5HTB1ROHMDescription: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
90+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5HTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.3 EUR
105+1.63 EUR
145+1.14 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5HTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5HTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5HTB1ROHMDescription: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5HTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.3 EUR
105+1.59 EUR
145+1.11 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
130+1.8 EUR
195+1.11 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.92 EUR
228+0.75 EUR
233+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 5988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.76 EUR
100+1.27 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE5TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.62 EUR
130+1.8 EUR
195+1.11 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE6HTB1ROHMDescription: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE6HTB1ROHMDescription: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
82+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.057 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.057ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
116+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.59 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
auf Bestellung 6169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.7 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.24 EUR
6000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HT8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.057 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.057ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
79+2.95 EUR
116+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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