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IRL3303D1STRR

Vishay / Siliconix

MOSFET Discrete Semiconductor Products

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IRL3303D1STRR

MOSFET

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IRL3303D1STRR

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IRL3303HR

Infineon

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IRL3303L

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube

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IRL3303LPBF

MOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl

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IRL3303LPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube

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IRL3303PBF

MOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB

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IRL3303PBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V

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IRL3303PBF

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRL3303S

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

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IRL3303S

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRL3303SHR

Infineon

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IRL3303SPBF

MOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl

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IRL3303SPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)

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IRL3303STRL

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IRL3303STRLHR

Infineon

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IRL3303STRLPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3303STRR

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3303STRRHR

Infineon

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IRL3303STRRPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRL3402HR

Infineon

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IRL3402L

Vishay / Siliconix

MOSFET Discrete Semiconductor Products

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402L

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 85A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

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IRL3402L

MOSFET

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IRL3402PBF

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 52nC

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IRL3402PBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402S

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402S

07+ TO-263

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402SPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402SPBF

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402STRL

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402STRLPBF

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402STRLPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402STRR

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3402STRRPBF

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502

auf Bestellung 72500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502HR

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502L

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 110A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502L

Vishay / Siliconix

MOSFET Discrete Semiconductor Products

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502L

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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IRL3502PBF

International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

auf Bestellung 4206 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.96 EUR
52+	3.3 EUR
100+	2.23 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.9 EUR
2500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502PBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502PBF

Infineon Technologies

MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 8mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502S

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502S

TO-263

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502SHR

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502SPBF

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502SPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502STRLHR

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502STRLPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3502STRR

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK

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IRL3502STRRHR

Infineon

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IRL3502STRRPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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IRL3502STRRPBF

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC

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IRL3705

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRL3705N

Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IRL3705N

International Rectifier

HEXFET Power MOSFET Транзистори

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IRL3705NL

auf Bestellung 1222 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRL3705NL

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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IRL3705NLPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 350 Stücke

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IRL3705NLPBF
Produktcode: 28463

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Montage: THT

Produkt ist nicht verfügbar

1+	1.93 EUR

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IRL3705NPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 415 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	3.45 EUR
95+	1.84 EUR
104+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

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IRL3705NPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRL3705NPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRL3705NPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

auf Bestellung 2353 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.14 EUR
10+	2.67 EUR
50+	2.01 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IRL3705NPBF
Produktcode: 24017

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT

verfügbar: 6 St.

6 St. - stock Köln

auf Bestellung: 245 St.

245 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1.18 EUR
10+	1.07 EUR

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IRL3705NPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 415 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	3.45 EUR
95+	1.8 EUR
105+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

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IRL3705NPBF

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB

auf Bestellung 2659 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.08 EUR
10+	2.64 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.58 EUR
5000+	1.19 EUR

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IRL3705NPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 9072 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 112 Stücke

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IRL3705NPBF

International Rectifier

TO-220AB Транзистори

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IRL3705NPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRL3705NPBF

Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	7.9 EUR
50+	4.71 EUR
100+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

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IRL3705NPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 65.3nC
Gate-source voltage: ±16V

auf Bestellung 1418 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	3.39 EUR
39+	2.19 EUR
44+	1.94 EUR
50+	1.77 EUR
100+	1.59 EUR
250+	1.42 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 9083 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.83 EUR
128+	1.32 EUR
136+	1.21 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.98 EUR
2000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 97 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NPBF/IR

08+;

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NS

IRL3705NS Транзисторы HEXFET

auf Bestellung 1019 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

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IRL3705NS

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NS
Produktcode: 37577

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRL3705NSPBF

International Rectifier

D2PAK Транзистори

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IRL3705NSPBF

IRL3705NSPBF D2PAK Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSTRL

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSTRLPBF

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl

auf Bestellung 822 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.38 EUR
10+	5.24 EUR
100+	3.86 EUR
500+	2.14 EUR
800+	1.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSTRLPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSTRLPBF

Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.43 EUR
42+	5.64 EUR
56+	3.86 EUR
100+	3.27 EUR
250+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSTRLPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSTRLPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.31 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSTRLPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSTRLPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.21 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSTRLPBF

Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.27 EUR
250+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705NSTRR

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705PBF

TO-220AB

auf Bestellung 4939 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL3705Z
Produktcode: 99526

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2880/40
Montage: THT

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IRL3705Z

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

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IRL3705ZL

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

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IRL3705ZLPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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