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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXGH30N60C3D1IGBT-транзистор 600В 60А TO-247 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220W 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH31N60IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.7 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH31N60IXYSDescription: IGBT 600V 60A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 31A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/400ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 480V, 31A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH31N60D1IXYSDescription: IGBT 600V 60A 150W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 31A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/400ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 480V, 31A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH31N60D1IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.7 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH31N60U1IXYSIGBT Transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N100A3IXYSDescription: IGBT 1000V 75A 300W TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3IXYSIGBTs 32 Amps 1200V
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.65 EUR
10+12.4 EUR
120+11.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3IXYSDescription: IGBT 1200V 75A 300W TO247
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 89 nC
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21 EUR
30+13.33 EUR
120+11.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3IGBT, 1200V, 75A, TO247AD Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+11.42 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N120A3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGH32N120A3 - IGBT, 75 A, 2.35 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.64 EUR
13+18.31 EUR
17+12.66 EUR
50+12.32 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170(IGBT,1700V,75A,TO247AD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170
Produktcode: 140302
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH32N170 - IGBT, 75 A, 2.5 V, 350 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+39.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170IXYSIGBTs 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.82 EUR
10+28.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 75A TO-247AD
Power - Max: 350 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 155 nC
Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 11mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.11 EUR
30+31.56 EUR
120+28.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 350W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170AIXYSIGBTs VRY HI VOLT NPT IGBT 1700V, 72A
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.42 EUR
10+34.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170AIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 32A TO-247AD
Test Condition: 850V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/260ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 350 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Part Status: Active
Gate Charge: 155 nC
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.3 EUR
30+31.14 EUR
120+29.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170ATO-247AD Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N170A
Produktcode: 129525
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1700 В
Sättigungsspannung Vce, V: 5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 32 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 21 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 46/260
Produkt ist nicht verfügbar
1+27.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60AIXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 125 nC
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/120ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60AU1IXYSIGBT Transistors 32 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60BIXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 125 nC
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60BIXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60BU1IXYSIGBTs 60 Amps 600V 2.3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60BU1(IGBT,1200V,15A,TO247AC) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60BU1IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60CIXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60CIXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/85ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60CD1IXYSMODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/85ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60CD1IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N60CD1 (IGBT-Transistor)
Produktcode: 49455
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N90B2IXYSIGBTs 32 Amps 900V 2.7 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N90B2IXYSDescription: IGBT 900V 64A 300W TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N90B2D1IXYSDescription: IGBT 900V 64A 300W TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH32N90B2D1IXYSIGBT Transistors 32 Amps 900V 2.7 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH34N60B2IXYSDescription: IGBT 600V 70A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/150ns
Switching Energy: 640µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH35N120BIXYSIGBTs 70 Amps 1200V 3.3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH35N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 70A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH35N120CIXYSDescription: IGBT 1200V 70A 300W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH35N120CIXYSMODULE
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH35N120C Transistor IGBT
Produktcode: 109599
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60A3IXYSIGBT Transistors GenX3 600V IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/330ns
Switching Energy: 740µJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 220 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60A3D4IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/330ns
Switching Energy: 740µJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 220 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60A3D4IXYSIGBT Transistors 36 Amps 600V 2 Rds
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGH36N60B3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 92A, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 92
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GenX3 Series
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3IXYSIGBTs GenX3 600V IGBTs
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.73 EUR
10+7.85 EUR
100+6.5 EUR
500+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 600V 92A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.73 EUR
30+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 92A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 92A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
Switching Energy: 540µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.98 EUR
30+7.43 EUR
120+6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.88 EUR
16+5.51 EUR
30+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/125ns
Switching Energy: 390µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+55.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1IXYSIGBT Transistors 75Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+55.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3D1IXYSDescription: IGBT 600V 250W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
Switching Energy: 540µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3D1IXYSIGBT Transistors 36 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3D4IXYSDescription: IGBT 600V 250W TO247
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 540µJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3D4IXYSIGBT Transistors 200 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH38N60IXYSDescription: IGBT 600V 76A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 38A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/600ns
Switching Energy: 9mJ (off)
Test Condition: 480V, 38A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 152 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH38N60U1IXYSDescription: IGBT 600V 76A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 38A
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH39N60BIXYSDescription: IGBT 600V 76A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/250ns
Switching Energy: 4mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 152 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH39N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 76A 200W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/250ns
Switching Energy: 4mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 152 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH39N60BD1Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH39N60BD1
Produktcode: 25259
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH39N60BD1
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: PT
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 2.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2IXYSIGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.57 EUR
10+26.13 EUR
120+24.34 EUR
510+24.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2IXYSDescription: IGBT 1200V 75A 360W TO247
Power - Max: 360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 136 nC
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/420ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1IXYSIGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.94 EUR
10+28.33 EUR
120+23.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD
Power - Max: 380 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 138 nC
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/290ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+26.75 EUR
10+24.2 EUR
50+23.69 EUR
100+23.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3IXYSIGBTs 75Amps 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 75A 380W TO247
Power - Max: 380 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 142 nC
Test Condition: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/130ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1IGBT 1200V 75A 380W TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1
Produktcode: 182236
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120C3D1 - IGBT, 75 A, 4.4 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.83 EUR
9+27.99 EUR
10+24.4 EUR
50+22.94 EUR
100+21.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1IXYSIGBTs 75Amps 1200V
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.91 EUR
10+23.81 EUR
120+23.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/130ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 380 W
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.64 EUR
30+24.26 EUR
120+21.12 EUR
510+20.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N30BD1IXYSMODULE
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N60IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/600ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N60IXYSIGBTs G-series
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IXGH40N60AIXYSIGBT Transistors G-series
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IXGH40N60AIXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/600ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
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