Produkte > NTP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| NTP53121G0JHKZ | NXP | Description: NXP - NTP53121G0JHKZ - RFID, NTAG 5 Link, 2kB, 13.553MHz bis 13.567MHz, XQFN-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - HF-IC: XQFN Programmierbarer Speicher: 2kB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: XQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 13.553MHz Versorgungsspannung, min.: 1.62V euEccn: NLR RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Frequenz, max.: 13.567MHz SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53121G0JHKZ | NXP Semiconductors | Interface - Specialised NTAG 5 link | auf Bestellung 2883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53121G0JHKZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R | auf Bestellung 11169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53121G0JHKZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53121G0JHKZ | NXP USA Inc. | Description: RFID NTAG5 XQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-XFQFN Mounting Type: Surface Mount Frequency: 13.56MHz Interface: I2C Type: RFID Reader Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V Standards: ISO 15693, NFC Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6) Part Status: Active Size / Dimension: 0.071" L x 0.102" W (1.80mm x 2.60mm) Memory Type: Read/Write Writable Memory: 16kb (User) | auf Bestellung 4513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53121G0JHKZ | NXP | Description: NXP - NTP53121G0JHKZ - RFID, NTAG 5 Link, 2kB, 13.553MHz bis 13.567MHz, XQFN-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - HF-IC: XQFN Programmierbarer Speicher: 2kB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: XQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 13.553MHz Versorgungsspannung, min.: 1.62V euEccn: NLR RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Frequenz, max.: 13.567MHz SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53121G0JTTZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53121G0JTTZ | NXP USA Inc. | Description: NTAG | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53121G0JTTZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53121G0JTTZ | NXP USA Inc. | Description: NTAG | auf Bestellung 3294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53121G0JTTZ | NXP Semiconductors | Interface - Specialised NTAG 5 link | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53121G0JTZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53121G0JTZ | NXP USA Inc. | Description: NTAG | auf Bestellung 2538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53121G0JTZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53121G0JTZ | NXP USA Inc. | Description: NTAG | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53121G0JTZ | NXP Semiconductors | Interface - Specialised NTAG 5 link | auf Bestellung 1574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53121G0JTZ | NXP | Description: NXP - NTP53121G0JTZ - NFC-Tag, NTAG 5 Link, I2C, 1.62-5.5V Versorgung, -40-105°C, SOIC-8 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Programmierbarer Speicher: 2kB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC HF-Primärfunktion: NFC-Tag Frequenz, min.: 13.553MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.62V Stromverbrauch: 138µA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Frequenz, max.: 13.567MHz Normen / Standards: ISO/IEC 15693 Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 105°C | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53121G0JTZ. | NXP | Description: NXP - NTP53121G0JTZ. - RFID, READ/WRITE, 13.56MHZ, SOIC-8 tariffCode: 0 euEccn: NLR rohsCompliant: YES RF Primary Function: NFC Tag Programmierbarer Speicher: 2KB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Frequenz, min.: 13.553MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.62V Stromverbrauch: 138µA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) RFID-IC-Typ: Read, Write Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsleistung: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Frequenz, max.: 13.567MHz Normen / Standards: ISO/IEC 15693 Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 105°C directShipCharge: 25 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53121G0JUAV | NXP USA Inc. | Description: NTAG Packaging: Bulk Frequency: 13.56MHz Memory Type: Read/Write Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Standards: ISO 15693, NFC Writable Memory: 16kb (User) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53321G0JHK | NXP USA Inc. | Description: RFID NTAG5 XQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Size / Dimension: 0.071" L x 0.102" W (1.80mm x 2.60mm) Frequency: 13.56MHz Memory Type: Read/Write Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Standards: ISO 15693, NFC Writable Memory: 16kb (User) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53321G0JHK | NXP USA Inc. | Description: RFID NTAG5 XQFN Packaging: Cut Tape (CT) Size / Dimension: 0.071" L x 0.102" W (1.80mm x 2.60mm) Frequency: 13.56MHz Memory Type: Read/Write Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Standards: ISO 15693, NFC Writable Memory: 16kb (User) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53321G0JHKZ | NXP USA Inc. | Description: NTAG Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-XFQFN Mounting Type: Surface Mount Frequency: 13.56MHz Interface: I2C Type: RFID Reader Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V Standards: ISO 15693, NFC Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6) Part Status: Active Size / Dimension: 0.071" L x 0.102" W (1.80mm x 2.60mm) Memory Type: Read/Write Writable Memory: 16kb (User) | auf Bestellung 1274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53321G0JHKZ | NXP | Description: NXP - NTP53321G0JHKZ - RFID, NTAG 5 Link, AES, 2kB, 13.553MHz bis 13.567MHz, XQFN-16 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform - HF-IC: XQFN Programmierbarer Speicher: 2kB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: XQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz, min.: 13.553MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.62V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Frequenz, max.: 13.567MHz Normen / Standards: ISO/IEC 15693 Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C | auf Bestellung 3560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53321G0JHKZ | NXP Semiconductors | Interface - Specialised NTAG 5 link with AES | auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53321G0JHKZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R | auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53321G0JHKZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53321G0JHKZ | NXP USA Inc. | Description: NTAG Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-XFQFN Size / Dimension: 0.071" L x 0.102" W (1.80mm x 2.60mm) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 13.56MHz Memory Type: Read/Write Interface: I2C Type: RFID Reader Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V Standards: ISO 15693, NFC Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6) Writable Memory: 16kb (User) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53321G0JHKZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53321G0JHKZ Produktcode: 206989
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| NTP53321G0JHKZ | NXP | Description: NXP - NTP53321G0JHKZ - RFID, NTAG 5 Link, AES, 2kB, 13.553MHz bis 13.567MHz, XQFN-16 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform - HF-IC: XQFN Programmierbarer Speicher: 2kB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: XQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz, min.: 13.553MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.62V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Frequenz, max.: 13.567MHz Normen / Standards: ISO/IEC 15693 Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C | auf Bestellung 3560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53321G0JHKZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R | auf Bestellung 5896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53321G0JHKZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin XQFN T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53321G0JTTZ | NXP USA Inc. | Description: NTAG | auf Bestellung 6825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53321G0JTTZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 16-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53321G0JTTZ | NXP USA Inc. | Description: NTAG | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53321G0JTTZ | NXP Semiconductors | Interface - Specialised NTAG 5 link with AES | auf Bestellung 2474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53321G0JTZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53321G0JTZ | NXP | Description: NXP - NTP53321G0JTZ - NFC-Tag, NTAG 5 Link, I2C, 1.62-5.5V Versorgung, -40-105°C, SOIC-8 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Programmierbarer Speicher: 2kB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC HF-Primärfunktion: NFC-Tag Frequenz, min.: 13.553MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.62V Stromverbrauch: 138µA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RFID-IC-Typ: Lesen, Schreiben Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Frequenz, max.: 13.567MHz Normen / Standards: ISO/IEC 15693 Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 105°C | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP53321G0JTZ | NXP Semiconductors | Interface - Specialised The factory is currently not accepting orders for this part. | auf Bestellung 1518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53321G0JTZ | NXP USA Inc. | Description: NTAG Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 13.56MHz Interface: I2C Type: RFID Reader Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V Standards: ISO 15693, NFC Supplier Device Package: 8-SO Size / Dimension: 0.154" L x 0.193" W (3.90mm x 4.90mm) Memory Type: Read/Write Writable Memory: 16kb (User) | auf Bestellung 3300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP53321G0JTZ | NXP Semiconductors | NFC/RFID Tag and Transponder IC 13560kHz 2KByte 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53321G0JTZ | NXP USA Inc. | Description: NTAG Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 13.56MHz Interface: I2C Type: RFID Reader Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.62V ~ 5.5V Standards: ISO 15693, NFC Supplier Device Package: 8-SO Size / Dimension: 0.154" L x 0.193" W (3.90mm x 4.90mm) Memory Type: Read/Write Writable Memory: 16kb (User) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP53321G0JTZ. | NXP | Description: NXP - NTP53321G0JTZ. - RFID, READ/WRITE, 13.56MHZ, SOIC-8 tariffCode: 0 euEccn: NLR rohsCompliant: YES RF Primary Function: NFC Tag Programmierbarer Speicher: 2KB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Frequenz, min.: 13.553MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.62V Stromverbrauch: 138µA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) RFID-IC-Typ: Read, Write Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsleistung: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Frequenz, max.: 13.567MHz Normen / Standards: ISO/IEC 15693 Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 105°C directShipCharge: 25 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5404NRG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5404NRG | ON Semiconductor | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| NTP5404NRG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTP5404NRG - NTP5404NRG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5404NRG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 167A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 32 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5404NRG | onsemi | MOSFETs NFET TO220 40V 136A 3.5mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5404NRG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5404NRG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 167A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 32 V | auf Bestellung 2982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP5411NG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5411NG | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTP5412NG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTP5412NG - NTP5412NG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 13650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5412NG | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTP5412NG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5426NG | ON Semiconductor | auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| NTP5426NG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V | auf Bestellung 38714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP5426NG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTP5426NG - NTP5426NG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 32464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5426NG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5860NG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 283W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5860NG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTP5860NG - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 135 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5860NG | ON Semiconductor | MOSFET NFET TO220 60V 2.5A 300 | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5860NG | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 283W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 5791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP5860NLG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5860NLG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5860NLG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 283W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5862NG | ON Semiconductor | MOSFET 60V T2 TO220 | auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5862NG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 98A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP5862NG | onsemi | MOSFETs 60V T2 TO220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5862NG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5862NG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTP5862NG - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5862NG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 98A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5863NG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5864NG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 63A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5864NG | ON Semiconductor | MOSFET NFETSO8FL60V17A39M OHM | auf Bestellung 8759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5864NG | ON Semiconductor | auf Bestellung 10020 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| NTP5D0N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5D0N15MC | ON Semiconductor | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| NTP5D0N15MC | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 139A; Idm: 818A; 214W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 139A Pulsed drain current: 818A Power dissipation: 214W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP5D0N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTP5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5D0N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V | auf Bestellung 93697 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP5D0N15MC | onsemi | MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220 | auf Bestellung 2598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP5D0N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 63200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5D0N15MC | On Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 15A/139A TO-220 Транзистори | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP60N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP60N06 | onsemi | MOSFETs 60V 60A N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP60N06 | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTP60N06G | onsemi | MOSFETs 60V 60A N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP60N06G | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTP60N06G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP60N06L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP60N06L | onsemi | MOSFET 60V 60A N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP60N06L | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTP60N06LG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP60N06LG | onsemi | MOSFET 60V 60A N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP60N06LG | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| NTP6410ANG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTP6410ANG | ON Semiconductor | MOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP6411ANG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 77A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTP6412ANG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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