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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHB20N50E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.84 EUR
10+5.11 EUR
100+4.94 EUR
500+4.4 EUR
1000+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N60EF-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 84nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHB21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.04 EUR
23+10.38 EUR
100+6.91 EUR
500+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N65EF-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.58 EUR
50+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N65EF-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N65EF-T5-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.46 EUR
10+4.88 EUR
100+3.45 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.76 EUR
2000+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+3.09 EUR
100+2.51 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHB21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.235 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7 EUR
46+5.06 EUR
100+3.43 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N80AE-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 800V
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+4.77 EUR
100+3.53 EUR
500+2.98 EUR
800+2.76 EUR
2400+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB21N80AE-T5-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 800V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+4.77 EUR
100+3.53 EUR
500+2.98 EUR
800+2.76 EUR
2400+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60AE-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 443nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60AEL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHB22N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHB22N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.09 EUR
19+4.56 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+7.03 EUR
100+5.26 EUR
500+4.41 EUR
1000+4.08 EUR
2000+3.94 EUR
5000+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHB22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.09 EUR
28+8.31 EUR
100+6.83 EUR
500+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60E-GE3Vishay SiliconixSIHB22N60E-GE3 SIHB22N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60E-GE3-XVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+6.12 EUR
100+4.69 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.53 EUR
2000+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60EF-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60EL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 45A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 197mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60ET1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB22N60ET1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 578 Stücke:
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1+8.71 EUR
10+5.76 EUR
100+4.08 EUR
500+3.81 EUR
800+3.75 EUR
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SIHB22N60ET1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHB22N60ET5-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHB22N60ET5-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHB22N60ET5-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHB22N60S-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHB22N60S-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHB22N60S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHB22N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHB22N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHB22N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHB22N65E-T1-GE3VishayMOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHB22N65E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHB22N65E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.01 EUR
10+6.69 EUR
100+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHB22N65ET1-GE3VishayMOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET
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SIHB23N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.25 EUR
10+6.72 EUR
100+5.01 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.92 EUR
2000+3.69 EUR
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SIHB23N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.56 EUR
50+4.95 EUR
100+4.51 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHB23N60E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB240N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB240N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+4.36 EUR
50+3.36 EUR
100+3.03 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB240N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+3.31 EUR
100+3 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB240N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHB240N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 16 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.32 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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SiHB24N65E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHB24N65E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.22 EUR
29+8.01 EUR
100+6.38 EUR
500+5.22 EUR
1000+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 122nC
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHB24N65E-GE3
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.96 EUR
10+8.72 EUR
50+6.91 EUR
100+6.33 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 3217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.76 EUR
10+6.81 EUR
100+6.24 EUR
500+5.57 EUR
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SIHB24N65E-GE3-XVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHB24N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.15 EUR
10+8.82 EUR
100+7.08 EUR
500+6.31 EUR
1000+5.78 EUR
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SIHB24N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHB24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.7 EUR
28+8.35 EUR
100+6.24 EUR
500+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EF-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 65A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EFT1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EFT1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.09 EUR
10+8.82 EUR
50+6.99 EUR
100+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EFT1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 650V 24A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.88 EUR
10+8.69 EUR
100+6.31 EUR
500+5.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EFT1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 65A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 156mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EFT1-GE3VishayE Series Power MOSFET with Fast Body Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EFT5-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHB24N65ET1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHB24N65ET1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHB24N65ET5-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHB24N65ET5-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+4.27 EUR
100+3.88 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.48 EUR
50+4.34 EUR
100+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHB24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.17 EUR
37+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N80AE-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N80AE-T5-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB25N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB25N50E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHB25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
44+5.38 EUR
100+3.53 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB25N50E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB25N50E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.85 EUR
10+5.87 EUR
100+4.16 EUR
500+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB28N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB28N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.4 EUR
10+9.04 EUR
50+7.18 EUR
100+6.57 EUR
500+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB28N60EF-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB28N60EF-T1-GE3VishayMOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB28N60EF-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.4 EUR
10+9.04 EUR
100+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB28N60EF-T5-GE3VishayMOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB28N60EF-T5-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60AEL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60AEL-GE3VishayEL Series Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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