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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SPP04N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
103+2.26 EUR
116+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0508BB8-7061H-16P
auf Bestellung 17558 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0530AEssentraConduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0530BEssentraConduit Fittings & Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0640AEssentraConduit Fittings & Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0640CEssentraConduit Fittings & Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N60C3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N60C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 6.2A TO220-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N60C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N60C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N60C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET Order Manufacturer Part Number SPP06N60C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N60C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 6.2A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N60C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SPP06N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
169+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3 EUR
100+2.03 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.44 EUR
5000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.92 EUR
36+2.38 EUR
37+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3XKInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.98 EUR
122+1.38 EUR
124+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP06N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
141+1.64 EUR
148+1.45 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.57 EUR
118+1.46 EUR
120+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+2.67 EUR
100+2.12 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
50+1.52 EUR
100+1.44 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0770AEssentraConduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0770CEssentraConduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N600S5Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
400+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C2
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3
Produktcode: 220695
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.27 EUR
76+1.12 EUR
84+1.02 EUR
90+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 7.3A TO220-3 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3InfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Order Manufacturer Part Number SPP07N60C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP07N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.15 EUR
70+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.4 EUR
129+1.33 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.81 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
50+2.93 EUR
100+2.64 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
124+1.36 EUR
129+1.25 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 7.3A TO220-3
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+3.39 EUR
100+2.87 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.12 EUR
2500+2.03 EUR
5000+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.81 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.25 EUR
10000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60CFDHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60S5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 7.3A TO220-3 CoolMOS S5
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP07N60S5InfineonТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60S5Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60S5HKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60S5XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+3.2 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60S5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 7.3A TO220-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60S5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N65C3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N65C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N65C3INInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N65C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
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SPP0896AEssentraConduit Fittings & Accessories
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP0896BEssentraConduit Fittings & Accessories
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SPP08N50C3INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SPP08N50C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 560V 7.6A TO220-3 CoolMOS C3
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SPP08N50C3
Produktcode: 113412
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 750/3
Montage: THT
auf Bestellung: 26 St.
  • 26 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.03 EUR
10+1.84 EUR
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SPP08N50C3HKSA1Infineon TechnologiesMOSFET Order Manufacturer Part Number SPP08N50C3
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SPP08N50C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SPP08N50 - 800V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 21945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N50C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 560V 7.6A TO220-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3InfineonCoolMOS 8A 800V 104W 0.65Ω SPP08N80C3 TSPP08N80C3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.78 EUR
10+3.72 EUR
100+2.56 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.92 EUR
2500+1.86 EUR
5000+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.71 EUR
27+3.27 EUR
29+2.94 EUR
50+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3Infineon TechnologiesDescription: SPP08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3XKInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+3.36 EUR
100+2.56 EUR
500+1.92 EUR
2500+1.86 EUR
5000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.59 EUR
50+2.77 EUR
100+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.43 EUR
76+3.06 EUR
100+2.55 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.26 EUR
78+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 8.8A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PINFINEONTO220 08+
auf Bestellung 28229 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06P HInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06P HInfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PBKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PGInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 8.8A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PH
Produktcode: 113417
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
InfineonTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 8,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 335/10
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.64 EUR
10+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PHXKInfineon technologies
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PHXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PHXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PHXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - SPP08P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.4 EUR
143+1.18 EUR
181+0.89 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08P06PXKInfineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
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SPP08P06PXKROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP08P06PXK - SPP08P06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
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productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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SPP1DescoTest Probes ESD Systems - Ion Bar Assembly, Air-Assisted 48 inch, 16 Emitters
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SPP100N03S2-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
188+2.94 EUR
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SPP100N03S2-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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