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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STN3N40K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3N40K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.8 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
140+1.67 EUR
250+1.01 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N40K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 50 V
auf Bestellung 31977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N45K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 164 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N45K3STN-MOSFET 0.6A 450V 2,0 W 3.8Ω STN3N45K3 SOT223 TSTN3n45k3
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 176000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
8000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N45K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3N45K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 600 mA, 3.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
auf Bestellung 3506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
141+1.65 EUR
208+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N45K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 164 pF @ 50 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.5 EUR
117+1.46 EUR
178+0.95 EUR
250+0.92 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N45K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
auf Bestellung 6948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3N45K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 176000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NE06STMN-кан. MOSFET 60V, 3A, 0.08Ом, 2.5Вт, SOT-223 (SMD) (STripFET I) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NE06STMSOT-223
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NE06LST
auf Bestellung 26200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NE06L*********
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NE06L************
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 13158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
208+1.12 EUR
311+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp
auf Bestellung 6887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 3.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 3884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
96+0.89 EUR
110+0.77 EUR
185+0.46 EUR
250+0.38 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 13182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
208+1.12 EUR
311+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.37 EUR
8000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMP-кан. MOSFET 60V, 4.0A, 0.07Ом, 3.3Вт, SOT-223 (STripFET II) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
713+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 44051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
116+2.01 EUR
250+1.24 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LVBsemiTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.09 EUR
117+1.44 EUR
166+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.62 EUR
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
742+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 742 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMN-Channel MOSFET, 100 mOhm 4A, 60V, 3.3W SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.11 EUR
116+1.48 EUR
165+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06L
Produktcode: 162455
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 33707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
742+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
10000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 742 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 44051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
116+2.01 EUR
250+1.24 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTN-MOSFET 4.0A 60V 3.3W 0.10Ω STN3NF06L TSTN3nf06l
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP
auf Bestellung 31969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.01 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.86 EUR
4000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 3.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
75+1.14 EUR
83+1.04 EUR
108+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06L-TR/E
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06LT4
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF10ST
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P06
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P10F6STMicroelectronicsDescription: SOT 223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P10F6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel -100 V, 0.136 Ohm typ., -3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SOT-223 pac
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P10F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 3442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
133+1.75 EUR
200+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
auf Bestellung 36175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.45 EUR
100+0.99 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.7 EUR
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3980 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.63 EUR
8000+0.58 EUR
12000+0.54 EUR
20000+0.5 EUR
28000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 3442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
133+1.75 EUR
200+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.63 EUR
81+1.06 EUR
118+0.73 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMMOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.64 EUR
100+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.63 EUR
8000+0.6 EUR
12000+0.56 EUR
20000+0.52 EUR
28000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3PF06STMMOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3PF06
Produktcode: 51566
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3PF06STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60 Volt 2.5 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3PF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3PF06L
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3PF06TR
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4392
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4403JAPAN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4438UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4438UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4N03L
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NE03STM07+ SOT-223
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NE03-1186
auf Bestellung 42500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NE03LSTM07+ SOT-223
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NE03L************
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF03
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
8000+0.37 EUR
24000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF03LSTMSOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 8364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF03LSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.71 EUR
138+0.62 EUR
151+0.57 EUR
182+0.46 EUR
193+0.44 EUR
250+0.42 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN4NF03LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
161+1.44 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.49 EUR
8000+0.43 EUR
24000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN4NF03LSTTranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 60mOhm; 6,5A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; HSL3002; STN4NF03L-VB; STN4NF03L; STN4NF03L TSTN4NF03L
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STN4NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 6.5 Amp
auf Bestellung 6636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.33 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.49 EUR
8000+0.44 EUR
24000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN4NF03LSTMТранзистори
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STN4NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.55 EUR
8000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN4NF03LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
161+1.44 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
8000+0.38 EUR
24000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN4NF03L
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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STN4NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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