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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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SUM70N03-09CP
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM70N03-09CP-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70N04-07L
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM70N04-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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SUM70N06-11
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM70N06-11-E3VISHAY09+ TO252
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM75N04-05L
auf Bestellung 9900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM75N06-09L
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM75N06-09LVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM75N06-09L-E3
Produkt ist nicht verfügbar
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SUM75N06-09L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF
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SUM75N06-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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SUM75N06-09L-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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SUM75N15-18P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
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SUM75N15-18P-E3
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUM80090E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
61+3.86 EUR
100+3.32 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM80090E-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 7410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+4.82 EUR
25+4.55 EUR
100+3.88 EUR
250+3.67 EUR
500+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM80090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
auf Bestellung 11171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
10+5.06 EUR
100+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM80090E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM80090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.77 EUR
1600+2.59 EUR
2400+2.5 EUR
4000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N02-05P
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N03-06P
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N03-06P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N03-07P
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N03-08P
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19
auf Bestellung 31200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.76 EUR
10+8.51 EUR
25+8.02 EUR
100+6.87 EUR
250+6.75 EUR
500+6.03 EUR
800+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM85N15-19-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.84 EUR
29+8.28 EUR
100+6.06 EUR
500+5.59 EUR
1000+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.86 EUR
10+9.13 EUR
100+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM85N15-19-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.84 EUR
29+8.28 EUR
100+6.06 EUR
500+5.59 EUR
1000+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM865070Celduc Inc.Description: SSR 45A/24-510VAC/VDR/INPUT 3,5-
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM867070CelducSINGLE PHASE POWER SOLID CONTACTOR
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+238.37 EUR
5+217.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM867070CELDUCCategory: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 3.5÷32VDC; 45A; 24÷510VAC; SUL; 1-phase
Type of relay: solid state
Control voltage: 3.5...32V DC
Max. operating current: 45A
Switched voltage: 24...510V AC
Manufacturer series: SUL
Relay variant: 1-phase
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 45x90x98mm
Switching method: zero voltage switching
IP rating: IP20
Design: heatsink
Operating temperature: -55...100°C
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+173.8 EUR
5+138.33 EUR
10+129.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90100E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90100E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 200V 150A N-CH MOSFET
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.23 EUR
10+6.12 EUR
25+5.43 EUR
100+4.74 EUR
250+4.36 EUR
500+4.11 EUR
800+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90140E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.63 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90140E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90140E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+4.8 EUR
100+3.58 EUR
500+3.19 EUR
800+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90140E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.21 EUR
45+3.74 EUR
46+3.56 EUR
100+2.89 EUR
250+2.71 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90140E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.57 EUR
34+7.03 EUR
100+4.63 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90140E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90140E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.39 EUR
39+4.49 EUR
41+4.15 EUR
50+4.02 EUR
100+3.28 EUR
250+3.2 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90142E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V
auf Bestellung 21600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.03 EUR
1600+2.83 EUR
2400+2.74 EUR
4000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.39 EUR
39+4.39 EUR
41+4 EUR
50+3.81 EUR
100+3.03 EUR
250+2.88 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90142E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.77 EUR
38+6.13 EUR
100+4.22 EUR
500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90142E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263
auf Bestellung 17009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.16 EUR
10+5.4 EUR
100+3.81 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90142E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V
auf Bestellung 22048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
10+5.5 EUR
100+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90220E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
10+4.05 EUR
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90220E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90220E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263
auf Bestellung 3682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.57 EUR
100+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90220E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90220E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
72+3.22 EUR
100+2.68 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90330E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
auf Bestellung 3038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.64 EUR
100+2.07 EUR
500+1.63 EUR
2400+1.51 EUR
4800+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
auf Bestellung 2197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.56 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.19 EUR
1600+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N03-2M2P
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N03-2M2P-E3
Produktcode: 82556
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N03-2M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N03-2M2P-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 90A 250W
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.98 EUR
10+5.28 EUR
100+3.72 EUR
500+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N03-2M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.91 EUR
10+5.22 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N04-3M3P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N04-3M3P-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts
auf Bestellung 5585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N06-4M4P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N06-4M4P-E3
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N06-4M4P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N06-5M5P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N08-4M8P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N08-6M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N08-6MP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N08-7M6P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.75 EUR
26+6.82 EUR
100+5.64 EUR
250+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.57 EUR
44+3.7 EUR
55+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.11 EUR
29+8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.49 EUR
19+4.71 EUR
25+4.2 EUR
100+3.56 EUR
250+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V 90A 300W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
auf Bestellung 3472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.79 EUR
10+7.89 EUR
100+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.57 EUR
44+3.84 EUR
55+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.69 EUR
1600+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.38 EUR
36+6.52 EUR
50+5.72 EUR
100+5.41 EUR
250+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+10.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
auf Bestellung 7278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+5.34 EUR
100+4.65 EUR
500+4.63 EUR
800+4.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.45 EUR
41+4.24 EUR
47+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.76 EUR
10+6.5 EUR
100+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.45 EUR
41+4.14 EUR
47+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.36 EUR
250+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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