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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4845SISOP-8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4845DYVISHAY09+
auf Bestellung 3118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4845DY-T1
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4845DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4845DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4845DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4845DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.05 EUR
170+1.02 EUR
253+0.67 EUR
266+0.62 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.45 EUR
12500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.51 EUR
165+1.02 EUR
168+0.98 EUR
170+0.93 EUR
253+0.6 EUR
266+0.55 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 17389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.61 EUR
10+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 13184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V
auf Bestellung 3087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+1.05 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.5 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
19+1.13 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DYVISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DYVishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.25 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.89 EUR
103+1.69 EUR
110+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3
Produktcode: 115193
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+2.23 EUR
54+1.58 EUR
64+1.34 EUR
72+1.19 EUR
76+1.12 EUR
100+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.2 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.49 EUR
5000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4848DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
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1+4.06 EUR
10+2.4 EUR
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500+1.52 EUR
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SI4848DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4848DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4848DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
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1+3.67 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.09 EUR
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SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
auf Bestellung 6770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.52 EUR
100+1.88 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4848DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.94 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.23 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4848DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4848DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixSO-8 Транзистори
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SI4848DYT1E3VISHAY
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SI485ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; SOT32; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; 4kV
Type of heat transfer pad: silicone
Application: SOT32
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 7.9x11.1mm
Material: glass fiber reinforced silicone
Mounting: screw
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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SI4850PHI09+ SOP8
auf Bestellung 1001 Stücke:
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SI4850BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6278 Stücke:
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2+2.03 EUR
10+1.43 EUR
100+1.05 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
7500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 15583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.05 EUR
192+0.86 EUR
219+0.71 EUR
250+0.69 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
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SI4850BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 12124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.9 EUR
219+0.77 EUR
250+0.76 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
auf Bestellung 7802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
16+1.36 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850DYVISHAY09+
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850DY-T1-E3SILICONIXSOP8 05+
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EYVishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4850EY-E3
Produktcode: 152187
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4850EY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-E3Vishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4850EY-T1
auf Bestellung 2317 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.58 EUR
100+1.69 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 6270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.56 EUR
100+1.77 EUR
250+1.69 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+3.08 EUR
25+3.06 EUR
100+2.2 EUR
250+2.15 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.33 EUR
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SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
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2500+0.73 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4850EY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
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50+3.58 EUR
68+2.4 EUR
100+1.64 EUR
250+1.54 EUR
500+0.84 EUR
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SI4850EY-T1-E3Vishay SiliconixPBF Транзистори
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SI4850EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4850EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.56 EUR
122+1.39 EUR
124+1.32 EUR
131+1.2 EUR
250+1.15 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.02 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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SI4850EY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4850EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4850EY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.59 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.44 EUR
5000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.87 EUR
100+2.09 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.44 EUR
124+1.4 EUR
131+1.3 EUR
250+1.26 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EYT1E3VISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4851SISOP-8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4852
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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