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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC3645SANYO03/04+ SOT89
auf Bestellung 7720 Stücke:
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2sc3645sSANYO
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2SC3645S-TDHITACHI
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2SC3645S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3645S-TD-E - 2SC3645 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC3645S-TD-EonsemiDescription: 2SC3645 - TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1776+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1776 Stücke
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2SC3645T-TD-EonsemiDescription: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2SC3645T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3645T-TD-E - 2SC3645 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 160V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3206+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3206 Stücke
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2SC3645T-TD/CA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2SC3646KEXIN09+
auf Bestellung 400018 Stücke:
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2SC3646onsemionsemi BIP NPN 1A 100V
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2SC3646-S-TD
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3646-T-TD
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2SC3646SSANYOSOT89
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2SC3646S-P-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1109+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1109 Stücke
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2SC3646S-P-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC3646S-P-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3646S-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SC3646S-P-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC3646S-P-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.88 EUR
100+0.58 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.4 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SC3646S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
220+1.06 EUR
324+0.67 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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2SC3646S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
9000+0.35 EUR
18000+0.32 EUR
27000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC3646S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC3646S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
21+1.02 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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2SC3646S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
220+1.06 EUR
324+0.67 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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2SC3646S-TD-E
Produktcode: 172099
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2SC3646S-TD-EON Semiconductor
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC3646S-TDCBS7CSANYOSOT-89
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3646T-P-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646T-P-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3646T-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SC3646T-P-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646T-P-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1211+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646T-TDSANYO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.04 EUR
10+0.88 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
25+0.87 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3646T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647KEXIN09+
auf Bestellung 196018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647onsemiON Semiconductor BIP NPN 2A 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647-TD/CCSANYO05+ SOT-89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
22+0.96 EUR
100+0.67 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.31 EUR
174+1.33 EUR
267+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.11 EUR
10+0.98 EUR
100+0.68 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.31 EUR
174+1.33 EUR
267+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 140...280
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 120MHz
Collector current: 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-EON Semiconductor
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
20+1.06 EUR
100+0.74 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
181+1.29 EUR
276+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647T-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...400
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 120MHz
Collector current: 2A
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC3647T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
181+1.29 EUR
276+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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2SC3647T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
auf Bestellung 4122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+1.08 EUR
100+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SC3648
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3648-TDSANYO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3648S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC3648S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC3648S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
23+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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2SC3648S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
DC-Kollektorstrom: 700
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
auf Bestellung 11786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.83 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.38 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648S-TD-EXonsemiDescription: BIP NPN 0.7A 160V
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3648T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
auf Bestellung 31128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.56 EUR
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EOn SemiconductorТранзистор биполярный Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 24359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 700 мА, ft, МГц = 120, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 400mV @ 25 мA, 250 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
5000+0.32 EUR
7000+0.31 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-EAptina ImagingTrans GP BJT NPN 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649KEXIN09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649-S-TD
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649-TDSANYOSOT89
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649S-TDSANYOSOT89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
auf Bestellung 23871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC3649S-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 1.5A
Current gain: 140...280
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 120MHz
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2SC3649S-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
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2SC3649S-TD-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
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2SC3649S-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC3649S-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
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2SC3649S-TD-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649S-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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