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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSVBAV23CLT1GonsemiDescription: DIODE ARR GP 250V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
auf Bestellung 8400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV23CLT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes DUAL CPR CMDTY PBF
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70DXV6T5GonsemiDescription: NSVBAV70D - SWITCHING DIODE, QUA
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3514 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70DXV6T5GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT563 SWITCH DIO
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.64 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70TT1
auf Bestellung 219000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70TT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV70TT1 - BAV70T - DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6967 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70TT1onsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3620+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70TT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC75 DUAL DIO 70V
auf Bestellung 56620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
21+0.17 EUR
100+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70TT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
94+0.23 EUR
152+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70TT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70TT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 29642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
77+0.27 EUR
123+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.098 EUR
5000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70TT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes DUAL SWITCHING DIODE
auf Bestellung 10031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.077 EUR
5000+0.065 EUR
10000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV70TT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV99WT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC70 DUAL DIODE T
auf Bestellung 18302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.096 EUR
5000+0.086 EUR
10000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV99WT3GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SC70; Ufmax: 1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Case: SC70
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV99WT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV99WT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.5 EUR
855+0.27 EUR
1252+0.17 EUR
1516+0.14 EUR
1624+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV99WT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
78+0.27 EUR
125+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV99WT3GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAV99WT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAV99WT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.5 EUR
855+0.27 EUR
1252+0.17 EUR
1516+0.14 EUR
1624+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAWH56WT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 70V 200MA SC703
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAWH56WT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 70V 200MA SC703
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
72+0.29 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBAWH56WT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC70 SWCH DIO 70V TR-175DEGC
auf Bestellung 8087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114EDXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
50000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
auf Bestellung 5999 Stücke:
Lieferzeit 80-84 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.58 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.14 EUR
8000+0.13 EUR
12000+0.12 EUR
20000+0.12 EUR
28000+0.11 EUR
40000+0.11 EUR
100000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 103540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC114YDXV6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS RSTR XSTR TR
auf Bestellung 3694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YPDXV65GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC114YPDXV65G - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YPDXV65GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YPDXV65GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YPDXV65G
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDigital Transistors Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC115EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR TR
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.71 EUR
100+0.67 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.32 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC123JDXV6T5GonsemiDescription: SS SOT563 SRF MT RST XSTR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC123JPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 SRF MT RST XSTR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC123JPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 2.2kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2141+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.58 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
50000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.14 EUR
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.14 EUR
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124XDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT563 DUALL 22/ 47
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
100+0.57 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.26 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124XPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 22kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 COMPLEMENTARY 22/47
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143TPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143TPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC143TPDXV6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3925 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143TPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143XMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143XMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143XMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZDXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
50000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.58 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC143ZPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR TR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EDXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.58 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
50000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EPDXV6T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 4000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC144EPDXV6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC817-16LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC817-16LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVBC817-16LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
776+0.3 EUR
1237+0.18 EUR
1842+0.12 EUR
2243+0.095 EUR
5000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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NSVBC817-16LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
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NSVBC817-16LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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