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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTB75N03L09onsemiMOSFET 30V 75A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03L09ONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03L09GonsemiMOSFET 30V 75A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03L09GON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03L09GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03L09T4ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03L09T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03L09T4onsemiMOSFET 30V 75A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03L09T4GonsemiMOSFET 30V 75A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03L09T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03RON07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03RG
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
auf Bestellung 89600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1211+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03RT4ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03RT4GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
auf Bestellung 4166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
592+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 592 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06ON07+ SOT-263
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06onsemiMOSFET 60V 75A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06GON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06GonsemiMOSFET 60V 75A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06LON07+ SOT-263
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06LG
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06LT4G
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06T4ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06T4GON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB75N06T4GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB7D3N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTB7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.2 EUR
46+5.15 EUR
100+4.02 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB7D3N15MCONN
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB7D3N15MConsemiDescription: NTB7D3N15MC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.22 EUR
10+4.68 EUR
25+4.28 EUR
100+3.87 EUR
250+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB7D3N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTB7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.02 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB7D3N15MConsemiDescription: NTB7D3N15MC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB7D3N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V N-FET D2PAK
auf Bestellung 2933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+4.3 EUR
100+3.67 EUR
500+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB85N03ON07+ SOT-263
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB85N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB85N03G
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB85N03GonsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB85N03R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB85N03T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB85N03T4ONTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB85N03T4G
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB85N03T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB85N03TB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB8N50onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
363+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02G
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02T
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
699+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 699 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02T4ON07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02T4GON10+ BGA
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N02T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB90N20ON07+ SOT-263
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBA104BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBA104GU12NXP SemiconductorsNXP Semiconductors Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBA104GU12,115NXP USA Inc.Description: VOLTAGE LEVEL TRANSLATOR BIDIREC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBA104GU12,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBA104GU12,115NXPTXRX TRANSLATING 4BIT 12XQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBA104GU16,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBA1520002TAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NTBA1520002T
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+50.92 EUR
10+38.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3PonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
auf Bestellung 4370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.2 EUR
10+42.66 EUR
100+41.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3PONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+68.15 EUR
5+54.81 EUR
10+42.76 EUR
50+42.33 EUR
100+41.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3PONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 106A; Idm: 452A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 452A
Power dissipation: 326W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 377nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+50.92 EUR
10+39.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3PonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+34.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3PONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+42.76 EUR
50+42.33 EUR
100+41.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3PonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.33 EUR
10+41.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG014N120M3PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
auf Bestellung 8197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.29 EUR
10+40.41 EUR
100+39.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 145A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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NTBG015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 3296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.67 EUR
10+39.6 EUR
100+38.44 EUR
500+35.58 EUR
800+32.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+32.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG015N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 422A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 422A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 283nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+40.53 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.72 EUR
10+39.82 EUR
100+38.6 EUR
500+36.13 EUR
800+34.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+65.35 EUR
10+60.24 EUR
25+55.18 EUR
50+54.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+30.12 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 9.8A; Idm: 448A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 448A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.97 EUR
10+40.91 EUR
100+39.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+44.48 EUR
50+40.51 EUR
100+39.92 EUR
250+39.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+30.1 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+40.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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