Produkte > RJK

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON

auf Bestellung 2570000 Stücke:

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RJK03M9DNS-WS#J5

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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800+	0.75 EUR

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RJK03N0DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK03N1

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RJK03N1DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK03N2DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

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RJK03N3DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

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RJK03N4DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK03N4DPA-02#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 432000 Stücke:

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RJK03N5DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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RJK03N6DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2092071 Stücke:

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396+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 396 Stücke

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RJK03N7DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

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RJK03N8DNS-00#J5

Description: MOSFET N-CH 30V 30A HWSON

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RJK03P1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 960000 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 668 Stücke

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RJK03P3DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 816000 Stücke:

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332+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 332 Stücke

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RJK03P5DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 468000 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 586 Stücke

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RJK03P6DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 27000 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 422 Stücke

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RJK03P6DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2750 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 422 Stücke

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RJK03P7DPA-00#J5A

Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Supplier Device Package: 8-WPAK
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 10W, 20W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

204+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 204 Stücke

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RJK03P7DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 2950 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 370 Stücke

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RJK03P8DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 792000 Stücke:

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221+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 221 Stücke

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RJK03P9DPA-00#J5A

Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 8-WPAK
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 15W, 35W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)

auf Bestellung 24000 Stücke:

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204+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 204 Stücke

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RJK03P9DPA-WS#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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Mindestbestellmenge: 370 Stücke

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RJK03R1DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 1023000 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 376 Stücke

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RJK03R4DPA-00#J5A

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A/50A WPAK

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RJK03T2DPA-00#J5A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

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248+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 248 Stücke

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RJK0451DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 10 V

auf Bestellung 1754 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.11 EUR
10+	3.3 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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RJK0451DPB-00#J5

MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 35A 7mohm LFPAK56

auf Bestellung 2086 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.98 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.74 EUR
1000+	1.55 EUR
2500+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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RJK0451DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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RJK0452DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 10 V

auf Bestellung 273 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.06 EUR
10+	3.95 EUR
100+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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RJK0452DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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RJK0452DPB-00#J5

MOSFETs NOT AVALIBLE THROUGH MOUSER

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0452DPB-00-J5

RJK0452DPB-00-J5 RJK0452
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0453DPB-00#J5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0453DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0454DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.81 EUR
10+	4.43 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.5 EUR
1000+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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RJK0454DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0454DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0455DPB-00#J5

LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0455
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0455DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

auf Bestellung 7490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.09 EUR
10+	4.24 EUR
100+	3.37 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0455DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0455DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0456DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.57 EUR
10+	4.63 EUR
100+	3.71 EUR
250+	3.42 EUR
500+	3.09 EUR
1000+	2.64 EUR
2500+	2.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0456DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0456DPB-00#J5

LFPAKN-CHANNEL, SINGLE, LFPAK, 40V, ID(DC)50A, RJK0456
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0456DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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RJK0601DPN-E0#T2

Description: RJK0601DPN - N-CHANNEL MOSFET 60
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220ABS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

auf Bestellung 1640 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

85+	6.78 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

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RJK0601DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0602DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0602DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0603DPN-A0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220ABA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220ABA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0603DPN-E0#T2

MOSFET Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0603DPN-E0#T2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0629DPE-00#J3

MOSFET MOSFET, 60V, LDPAK(S)-1, Pb Free

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0629DPE-00#J3

Description: MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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rjk0633

auf Bestellung 62 Stücke:

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RJK0651DPB-00#J5

MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 25A 14mohm LFPAK56

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2+	1.76 EUR
10+	1.63 EUR
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RJK0651DPB-00#J5

LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0651
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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RJK0651DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	1.45 EUR

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RJK0651DPB-00#J5

Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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RJK0651DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3 Stücke:

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RJK0651DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V

auf Bestellung 2582 Stücke:

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5+	4.9 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.17 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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RJK0651DPB-00#J5

Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 260 Stücke:

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61+	2.86 EUR
100+	2.69 EUR
250+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

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RJK0651DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3 Stücke:

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RJK0652DPB

auf Bestellung 5000 Stücke:

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RJK0652DPB-00#J0

auf Bestellung 1511 Stücke:

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RJK0652DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 662 Stücke:

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100+	2.81 EUR
500+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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RJK0652DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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RJK0652DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 662 Stücke:

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35+	7.18 EUR
54+	4.34 EUR
100+	2.81 EUR
500+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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RJK0652DPB-00#J5

MOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF

auf Bestellung 3930 Stücke:

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2+	2.98 EUR
10+	2.76 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.31 EUR
2500+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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RJK0653DPB-00#J5

MOSFET JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0653DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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RJK0653DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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RJK0653DPB-00-J0

auf Bestellung 5000 Stücke:

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RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0654DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0654DPB-00#J5

MOSFET Power MOSFET

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RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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RJK0655DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 6700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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RJK0655DPB-00#J5

MOSFETs Power MOSFET

auf Bestellung 7831 Stücke:

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1+	3.92 EUR
100+	3.89 EUR
2500+	2.34 EUR

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RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0655DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 6700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0655DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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RJK0656DPB-00#J5

MOSFETs Power MOSFET

auf Bestellung 13643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.19 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.53 EUR
2500+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0656DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0656DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	3.3 EUR
78+	3 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0656DPB-00#J5

Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0656DPB-00#J5

Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.68 EUR
500+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0657DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

387+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 387 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0658DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 25A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0658DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 25A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0658DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 60V 25A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0659DPA-00#J5A

MOSFET POWER MOSFET 60V 30A WPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0659DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.62 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0659DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0660DPA-00#J5A

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RJK0660DPA-00#J5A