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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SAR340QTRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 400V 0.1A TSMT6
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.46 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.73 EUR
166+1.02 EUR
257+0.64 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -0.7A -120V Middle Power Transistor
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.06 EUR
257+0.68 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -0.7A-120V L. Freq Amplifier
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372PHZGT100RROHMDescription: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.45 EUR
231+1.01 EUR
308+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372PHZGT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372PHZGT100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -120V -0.7A, Middle Power Transistor for Automotive
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372PHZGT100RROHMDescription: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.45 EUR
231+1.01 EUR
308+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR372PHZGT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SAR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.94 EUR
208+1.12 EUR
317+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375P5T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -1.5A -120V Middle Power Transistor
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SAR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.94 EUR
208+1.12 EUR
317+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.31 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375P5T100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -1.5A-120V L. Freq Amplifier
auf Bestellung 4360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.43 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375P5T100RROHMDescription: ROHM - 2SAR375P5T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
185+1.26 EUR
262+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375P5T100RROHMDescription: ROHM - 2SAR375P5T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
185+1.26 EUR
262+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375PHZGT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375PHZGT100RROHMDescription: ROHM - 2SAR375PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.03 EUR
211+1.09 EUR
309+0.69 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375PHZGT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 1.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375PHZGT100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -120V -1.5A, Middle Power Transistor for Automotive
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.51 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR375PHZGT100RROHMDescription: ROHM - 2SAR375PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.03 EUR
211+1.09 EUR
309+0.69 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3HZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -30V -500mA, General Purpose Amplification Transistor
auf Bestellung 5935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3HZGTLROHMDescription: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.84 EUR
484+0.48 EUR
758+0.29 EUR
1015+0.21 EUR
1132+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3HZGTLROHMDescription: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.84 EUR
484+0.48 EUR
758+0.29 EUR
1015+0.21 EUR
1132+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3TLROHMDescription: ROHM - 2SAR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
65+0.32 EUR
105+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3TLROHMDescription: ROHM - 2SAR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -30V -0.5A, General Purpose Transistor
auf Bestellung 5862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502EBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Digital Transtr Driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3HZGT106ROHMDescription: ROHM - 2SAR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.67 EUR
535+0.43 EUR
885+0.24 EUR
1289+0.17 EUR
1359+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
50+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3HZGT106Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
967+0.18 EUR
1190+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 967 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3HZGT106ROHMDescription: ROHM - 2SAR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.67 EUR
535+0.43 EUR
885+0.24 EUR
1289+0.17 EUR
1359+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3HZGT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -30V -0.5A, General Purpose Transistor
auf Bestellung 3343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.36 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3T106ROHMDescription: ROHM - 2SAR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3T106ROHMDescription: ROHM - 2SAR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3T106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -0.5A Ic -30V UMT3
auf Bestellung 32789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502U3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 7919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502UBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Digital Transtr Driver
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502UBTLROHMDescription: ROHM - 2SAR502UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+0.51 EUR
603+0.38 EUR
1247+0.17 EUR
1859+0.12 EUR
1924+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR502UBTLROHMDescription: ROHM - 2SAR502UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+0.51 EUR
603+0.38 EUR
1247+0.17 EUR
1859+0.12 EUR
1924+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512L-TPMicro Commercial Components2SAR512L-TP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+0.38 EUR
738+0.23 EUR
812+0.2 EUR
1158+0.13 EUR
1278+0.11 EUR
1676+0.082 EUR
1902+0.073 EUR
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512L-TPMicro Commercial Components2SAR512L-TP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1205+0.14 EUR
1278+0.13 EUR
1676+0.1 EUR
1902+0.087 EUR
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512L-TPMicro Commercial Components2SAR512L-TP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
29+0.73 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512P5T100Rohm2SAR512P5T100 Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 430MHz 500 mW Surface Mount MPT3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
auf Bestellung 3120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.3 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP SOT-89 -2A 200 to 500hFE -30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
28+0.76 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR512PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
176+1.32 EUR
269+0.8 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SAR512PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
176+1.32 EUR
269+0.8 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -30V -2A, Medium Power Transistor
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 30V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A TSMT3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
14+1.55 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT346T 30V 2A MID-PWR TRANS
auf Bestellung 5057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SAR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.95 EUR
205+1.13 EUR
313+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A TSMT3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SAR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.95 EUR
205+1.13 EUR
313+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RTLROHMDescription: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.76 EUR
272+0.86 EUR
417+0.51 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 49545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.84 EUR
326+0.54 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 49545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.37 EUR
209+0.81 EUR
326+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RTLROHMDescription: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1W
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.76 EUR
272+0.86 EUR
417+0.51 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A TSMT3
auf Bestellung 1736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
26+0.82 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -30V -2A Driver Transistor
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.29 EUR
637+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SAR512RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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