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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC3649T-TDSNYSOT223
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
174+1.33 EUR
246+0.87 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.64 EUR
2000+0.6 EUR
3000+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+1.29 EUR
220+1.06 EUR
327+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 1.5A
Current gain: 200...400
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 120MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-EON Semiconductor
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
auf Bestellung 3556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3649T-TD-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3650KEXIN09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3650(CF)
auf Bestellung 30767 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3650-TDSANYOSOT89-CF
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3650-TD SOT89-CFSANYO
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3650-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3650-TD-E - 2SC3650-TD-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1457+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3650-TD-ESanyoDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT-89/PCP-1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Frequency - Transition: 250MHz
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
993+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 993 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3650-TD-E-ONonsemiDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1211+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3650-TDDOT89-CFSANYO
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3650\CFSANYOSOT-89
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651KEXIN09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-OTE-TD-EON SemiconductorHIGH-GAIN/LF AMPLIFIER
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1955+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-OTE-TD-EON SemiconductorHIGH-GAIN/LF AMPLIFIER
auf Bestellung 74000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1955+0.33 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-OTE-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 0.2A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1297+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1297 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-OTE-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3651-OTE-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2290+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-OTE-TD-EON SemiconductorHIGH-GAIN/LF AMPLIFIER
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1955+0.33 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-TDKEC09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-TD-EonsemiDescription: 2SC3651 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-TD-EON Semiconductor2SC3651-TD-E
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-TD-EFairchild SemiconductorDescription: 2SC3651 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3651-TD-E - 2SC3651-TD-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1886+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1886 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3651-TD-EON Semiconductor2SC3651-TD-E
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3652
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3653
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3654
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3655
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3656
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3657
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3658TOS/HIT98+ TO-3
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3658 FHAT2L RROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3658 T2L RROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3659TOS/HIT98+ TO-3
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC366
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3660NECTO-55
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3661SANYO03/04+ SOT23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3661-TBSANYO
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3661-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3661-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), 25 V, 200 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: -
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1886+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1886 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3661-TB-ESanyo ElectricTrans GP BJT NPN 25V 0.3A 200mW 3-Pin Case CP
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3661-TB-ESANYOSOT23
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3661-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.3A 200mW 3-Pin Case CP
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3661-TB-ESanyoDescription: TRANS NPN 25V 0.2A 3-CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3661-TB-ESanyo ElectricTrans GP BJT NPN 25V 0.3A 200mW 3-Pin Case CP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3661-TB-ESanyo ElectricTrans GP BJT NPN 25V 0.3A 200mW 3-Pin Case CP
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2SC3661-U-TB-EON Semiconductor2SC3661-U-TB-E
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2SC3661-U-TB-EonsemiDescription: BIP NPN 0.3A 25V
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2SC3661-XMITSOT23
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2SC3662
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2SC3663NECSOT-23
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2SC3664
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2SC3665-Y(T2NSW,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 800MA 120V SC71
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2SC3665-Y,T2F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 800MA 120V SC71
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2SC3665-Y,T2NSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 800MA 120V SC71
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2SC3665-Y,T2YNSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 800MA 120V SC71
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2SC3666
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2SC3667
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2SC3668
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2SC3668-O,T2CLAF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
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2SC3668-Y,F2PANF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
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Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC3668-Y,T2F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
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Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
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Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC3668-Y,T2F(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
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Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
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2SC3668-Y,T2WNLF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
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2SC3669-OToshibaBipolar Transistors - BJT MSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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2SC3669-YToshibaBipolar Transistors - BJT MSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
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2SC3669-Y(2OMPP,AFToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC3669-Y(T2OMI,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 80V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
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2SC3669-Y(T2OMI,FMToshibaToshiba
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2SC3669-Y,T2F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC3669-Y,T2F(MToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC3669-Y,T2PASF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 80V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
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2SC3669-Y,T2PASF(MToshibaToshiba
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2SC366GGTM
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC367
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3670
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3671
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3672-O(T2ASH,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 100MA 300V SC71
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2SC3673TOSTO-92 05+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3674
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3675
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3675-RD7onsemiDescription: BIP NPN 0.1A 900V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2SC3676
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3677
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3678
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3679SANYO09+
auf Bestellung 6638 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3679
Produktcode: 73523
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Gehäuse: TO-3P
Transitfrequenz fT: 6 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 800 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 900 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Montage: THT
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1+1.98 EUR
10+1.67 EUR
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2SC367GGTM
auf Bestellung 8000 Stücke:
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