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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7351Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351PBFInternational RectifierMOSFET 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351PBF
Produktcode: 127438
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351PBF-HXYHXY MOSFETMOSFET 60V 15A 60W 15mOhm@10V 2.5V@250uA 2 N-Channel SOP-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRInfineon2xN -MOSFET HEXFET 8A 60V 2W 0.18Ω IRF7351 TIRF7351
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.26 EUR
76+2.25 EUR
106+1.57 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.09 EUR
4000+0.96 EUR
8000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
4000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.9 EUR
8000+0.73 EUR
12000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
50+2 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.26 EUR
76+2.2 EUR
106+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.99 EUR
4000+0.84 EUR
8000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.9 EUR
8000+0.71 EUR
12000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.81 EUR
49+1.75 EUR
54+1.59 EUR
66+1.3 EUR
100+1.18 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
87+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1330 @ 30, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 17,8 мОм @ 8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
100+2.21 EUR
250+2.08 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7352D2TRPBF
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353IR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D1IR07+ SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D1TRIOR00+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D2IR07+ SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D2TRIORSOP-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D2TRInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D2TRPBFIOR
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353TRIOR2004
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7353TRPBF
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379IRSO-8
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379PBF
Produktcode: 98276
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379QTRPBFIOR
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379TRIR09+
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379TR(94-3356)
auf Bestellung 50500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 5.8A/4.3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 5.8A
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7379TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF737LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF737LCIRTO-220AB
auf Bestellung 35965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF737LCLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF737LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF737LCSVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF737LCSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF737LCSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380
Produktcode: 32210
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7380PBF - IRF7380 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V DUAL N-CH HEXFET 73mOhm VGS 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380QTRPBFIOR
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRInfineonN-MOSFET 3.6A 80V 2W 0.073Ω IRF7380 smd TIRF7380
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.9 EUR
4001+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TR-CNCHIPNOBOTransistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7380; IRF7380TR; SP001555280; SP001574936; IRF7380TR-CN CHIPNOBO TIRF7380 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TR-MLMOSLEADERTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7380; IRF7380TR; SP001555280; SP001574936; IRF7380TR-ML MOSLEADER TIRF7380 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBF
Produktcode: 43150
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 80V 3.6A SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
50+1.33 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFIRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
111+2.09 EUR
250+1.64 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.88 EUR
8000+0.8 EUR
12000+0.74 EUR
20000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A
auf Bestellung 17912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.76 EUR
100+1.38 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.89 EUR
4000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3662 Stücke:
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82+3.05 EUR
111+2.09 EUR
250+1.37 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
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220+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFIRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1026 Stücke:
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IRF7380TRPBF .09= QFN
auf Bestellung 5200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin DSO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7380TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
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IRF7380TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF7381IR03+
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