Produkte > MMB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| MMBT2222AK | FAIRCHILD | 0550+ SOT-23 | auf Bestellung 24600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AK | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AL | onsemi | SS SOT23 GP XSTR NPN 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AL | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALP4-7B | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALP4-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 6230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALP4-7B | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10 | auf Bestellung 18227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALP4-7B | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 185312 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALP4-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 6230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALP4-7B | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1W; X2-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1W Case: X2-DFN1006-3 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Manufacturer standard package: 10000pcs. Pulsed collector current: 0.8A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALSOT-23T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1 | INFINEON | TRANSISTOR SWITCHING 40V NPN SOT-23 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1 | On Semiconductor | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1 1P | N/A | 09+ SOT-23 | auf Bestellung 58000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1(1P) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1(1P*) | auf Bestellung 6339 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1/1P | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 63148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 538510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 38360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 63148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | On Semiconductor | TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 38717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | ON SEMICONDUCTOR | Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz | auf Bestellung 79873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 12049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1068000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 538510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2091000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2091000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | ON-Semiconductor | Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V | auf Bestellung 1127729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 11722 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1G (ON) NPN-Bipolartransistor Produktcode: 35896
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| ON | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-23 Transitfrequenz fT: 300 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 V Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A Montage: SMD | erwartet: 6000 St.
auf Bestellung: 535 St.
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| MMBT2222ALT1H | onsemi | Description: SS SOT23 GP XSTR NPN 40V Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1H - SS SOT23 GP XSTR NPN 40V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4950 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A | auf Bestellung 68139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW | auf Bestellung 24743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 45000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 315000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 258000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - MMBT2222ALT1HTSA1 - MMBT2222 - NPN SWITCHING TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 11495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 126 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A | auf Bestellung 89833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 5836 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 110000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V | auf Bestellung 59687 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 5836 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 110000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222AM-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: NPN TRANSISTORS,SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 100 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 265 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW | auf Bestellung 21414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 95 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR | auf Bestellung 39360 Stücke: Lieferzeit 367-371 Tag (e) |
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| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2222AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 552471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222AM3T5G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW | auf Bestellung 21414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ | Yangjie Electronic Technology | NPN General Purpose Amplifier | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222AQ | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ | Yangjie Technology | Description: SOT-23 NPN 0.3W 0.6A 75V Transis Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222AQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry Manufacturer standard package: 3000pcs. Pulsed collector current: 0.8A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 531000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222AQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 310 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AQ-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transistor SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 2158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222AQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 531000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222AQ-7-F-52 | Diodes Zetex | 40V NPN Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 222000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222AQ-7-F-52 | Diodes Zetex | 40V NPN Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 222000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222AQ-7-F-52 | Diodes Incorporated | Description: SS Mid-Perf Transistor SOT23 T&R Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AT | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523FL T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AT | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AT | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 40V 150MW 35@0.1MA,10V 600MA NPN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AT | GOODWORK | Description: 600mA 40V 200mW SOT-523 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222AT | N/A | 05+ SOT-523 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT2222AT | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
