Produkte > MUR
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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| MURT40060 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURT40060R | GeneSiC Semiconductor | Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURT40060R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA200120 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA200120 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1200V 100A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MURTA200120R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1200V 100A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MURTA200120R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA20020 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA20020 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 200V 100A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MURTA20020R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 200V 100A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MURTA20020R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA20040 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA20040 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 400V 100A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MURTA20040R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA20040R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 400V 100A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MURTA20060 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA20060 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA20060R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA20060R | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA200A60 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 600V 100A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MURTA300120 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA300120 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA300120R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA300120R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30020 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30020 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30020R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30020R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30040 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30040 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30040R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30040R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30060 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30060 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30060R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA30060R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA400120 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1200V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 180 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MURTA400120 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA400120R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1200V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 180 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MURTA400120R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40020 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40020 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40020R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40020R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40040 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40040 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40040R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40040R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40060 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40060 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MURTA40060R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA40060R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA500120 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA500120 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA500120R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA500120R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50020 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50020 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50020R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50020R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50040 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50040 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50040R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50040R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50060 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50060 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50060R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA50060R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA600120 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA600120 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA600120R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA600120R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60020 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60020 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60020R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60020R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60040 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 220 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60040 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60040R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 220 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60040R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60060 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 280 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60060 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60060R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 280 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURTA60060R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 48 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURU1620 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MURW-5MFP-30 | Murrelektronik | Specialised Cables 5 PL MIN M-F EXT, SEOOW 30' | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURW-5MFP-6 | Murrelektronik | Specialised Cables 5 PL MIN M-F EXT, SEOOW 6' | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MURX140-T | MIC | 08+ SOD-123 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |