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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4963DY-T1VISHAY
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SI4963DY-T1-E3VISHAYSO-8
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SI4963DY-TI-E3
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SI4963DYT1VISHAYSO-8
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SI4963DYT1E3VISHAY
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SI4963Y-T1-E3
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SI4965SIEMENS01+ SOP
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SI4965DYVISHAY09+
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SI4965DY-T1VISHAY2004
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SI4965DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4965DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI4965DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4965DYT1VISHAYSO-8
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SI4965DYT1E3VISHAY
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SI4966VISHAY
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SI4966AL
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SI4966DV-T1
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SI4966DYVISHAY
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SI4966DY-71
auf Bestellung 942 Stücke:
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SI4966DY-T1
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SI4966DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI4966DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
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SI4966DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
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SI4966DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4966DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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SI4966DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DYVISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
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SI4967DYVishay / SiliconixMOSFET 12V 7.5A 2W
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SI4967DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SI9933CDY-T1-GE3
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SI4967DY-T1SILICONIX04+
auf Bestellung 2330 Stücke:
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SI4967DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI4967DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SI9933CDY-T1-GE3
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SI4967DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4967DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
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SI4971DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
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SI4971DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
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SI4972DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
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SI4972DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A, 7.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4972DY-T1-E3VishayMOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC Транзистори
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SI4972DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A, 7.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4972DY-T1-GE3
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4972DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4973DYVISHAY09+
auf Bestellung 118 Stücke:
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SI4973DYVishay / SiliconixMOSFETs DUAL P-CHANNEL 25-V (g-s) MOSFET
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SI4973DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL P-CHANNEL 25-V (g-s) MOSFET
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SI4973DY-T1VISHAY
auf Bestellung 7500 Stücke:
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SI4973DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET DUAL P-CHANNEL 25-V (G-S) MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4973DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4974DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4974DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4974DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4974DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4976DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4976DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4978DY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4980SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4980DYVishay / SiliconixMOSFET 80V 3.7A 2W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4980DY-T1VISHAY0337+
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4980DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4980DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4980DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4980DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DYVishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DYVishayDual N-Channel, 100-Vds Rated MOSFET Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DY (Mikroschaltungen verschiedene)
Produktcode: 40495
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
UKTZED: 8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DY-T1SILICONIX0101+
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4982DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI499ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; for quartz; Thk: 0.23mm; 900mW/mK
Type of heat transfer pad: silicone
Application: for quartz
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.23mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 5kV
Dimensions: 12x5mm
Mounting: glued
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4992DYVISHAY09+
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4992DY-T1-E3
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4992EY
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4992EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4992EY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4992EY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4992EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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