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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF7477TRPBFIOR
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7477TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478IRSO-8
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478PBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 21nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478QPBFIR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478QTRPBFIOR
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: PTS6012; IRF7478; IRF7478TR; IRF7478-GURT; Obsolete; IRF7478; IRF7478TR TIRF7478
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478TRInfineon / IRMOSFET MOSFET, 60V, 7.6A, 26 mOhm, 21 nC Qg, SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.2 EUR
139+1.02 EUR
150+0.91 EUR
187+0.7 EUR
250+0.66 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478TRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7478TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 13969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.41 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 59940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.41 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 26722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.41 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
auf Bestellung 14175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.07 EUR
10+3.3 EUR
100+2.28 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.92 EUR
70+2.06 EUR
100+1.99 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.41 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 33098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.41 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBF
Produktcode: 200134
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7480MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 8709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+3.27 EUR
100+2.29 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.8 EUR
2500+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7483MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
auf Bestellung 12946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
205+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7483MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R
auf Bestellung 6672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.14 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7483MTRPBFInfineon / IRMOSFET 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.28 EUR
10+3.87 EUR
100+3.12 EUR
500+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7483MTRPBFInfineon TechnologiesIRF7483MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.14 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7483MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF7483 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
205+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7483MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 135A 8-Pin Direct-FET MF T/R
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.14 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7484IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7484PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7484PBFIR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7484QInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=40V, Id=14A@Vgs=7V, P=2.5W, ), Pb-free.... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7484QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7484QTRPBFIOR
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7484TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7484TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7484TRPBFIR
auf Bestellung 328000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7488IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7488PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7488TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 80V 6.3A 29mOhm 38nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7488TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7488TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7488TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490PBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.55 EUR
8000+0.51 EUR
12000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.45 EUR
8000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 5.4A 39mOhm 37nC
auf Bestellung 5539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.06 EUR
10+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.45 EUR
8000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 2555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.97 EUR
117+1.23 EUR
200+1.03 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
auf Bestellung 13687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.18 EUR
13+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7490TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.4 A, 0.039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 2555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7490TRPBFIOR
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7491IR07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7491Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7491PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7491TRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7491TRPBFIOR
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7491TRPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492PBFInfineonMOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492PBF
Produktcode: 26534
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 200
Idd,A: 03.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.079
Ciss, pF/Qg, nC: 1820/39
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1820 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 79 мОм @ 2,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
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IRF7492TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 3.7A 79mOhm 39nC Qg
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IRF7492TRPBF(Transistor)
Produktcode: 49590
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF7493
Produktcode: 126425
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF7493PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори
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IRF7493PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7493PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 9.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRF7493PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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IRF7493PBF
Produktcode: 162716
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IRF7493PBFInfineon TechnologiesMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 31nC
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IRF7493PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1510 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 15 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7493TRInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 80V 7,4A 2.5W 0,015Ω IRF7493 TIRF7493
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF7493TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
auf Bestellung 6513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.96 EUR
10+1.88 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
auf Bestellung 6105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.81 EUR
100+0.8 EUR
1000+0.79 EUR
4000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.75 EUR
201+0.72 EUR
203+0.7 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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IRF7493TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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