Produkte > 2N7
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| 2N7002BKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 165000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 295mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | auf Bestellung 44418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 13809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 111081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKS.115 Produktcode: 109130
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| NXP | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS/DG/B2115 | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKS/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKSH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKSH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKSH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKSH | Nexperia | MOSFETs 2N7002BKS/SOT363/SC-88 | auf Bestellung 5992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKT,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | Nexperia | MOSFETs 2N7002BKV/SOT666/SOT6 | auf Bestellung 19842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | auf Bestellung 21932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | auf Bestellung 22955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | auf Bestellung 961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | auf Bestellung 961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKV/DG/B2115 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 370mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | auf Bestellung 7415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 22992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 370mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | auf Bestellung 7415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | Nexperia | MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 57814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKVL Produktcode: 215733
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| Nexperia | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 0,35 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 33/0,5 Bemerkung: 60 V, 350 mA N-Kanal Trench-MOSFET Montage: SMD | auf Bestellung: 25 St.
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| 2N7002BKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 22916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKVL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Version: ESD Technology: Trench | auf Bestellung 9950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKW | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 21975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | NXP | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 275mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | auf Bestellung 14441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 Produktcode: 216103
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkw Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 31332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 21975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 310 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 0,6, Rds = 1.6 @ 500mA, 10V Ом, Ugs(th) = 2,1 @ 250µA В, Р, Вт = 0,275 (Ta), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 10 Од. вим: Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 5 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002BKW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 275mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | auf Bestellung 14441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkw Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | MOSFETs 2N7002BKW/SOT323/SC-70 | auf Bestellung 5953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002CK | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK | Nexperia USA Inc. | Description: 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK | Nexperia | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002CK,215 | Nexperia | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002CK,215 | NXP | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В, Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 6864 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002CK,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002CKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002CKVL | Nexperia | MOSFET 60V N-CHANNEL 0.3A | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002CKVL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 280000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002D87Z | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002DS6 | Rectron USA | Description: MOSFET 2 N-CH 60V 250MA SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363-6L Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 350mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 10963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002DW | onsemi | MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect | auf Bestellung 57140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002DW | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | auf Bestellung 56550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 8954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002DW | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N7002DW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 115 A, 7.5 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002DW | JSMicro Semiconductor | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002DW-7-F; 2N7002DW-G; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DW-TP; 2N7002DW JSMICRO T2N7002dw JSM Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002DW | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active | auf Bestellung 56566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002DW | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 10963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002DW | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002DW Produktcode: 174754
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| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| 2N7002DW | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-13-G | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N7002DW-13-G | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
