Produkte > BCR
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR10PNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR10PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR10PN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 18130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | auf Bestellung 3448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR10PNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR10PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR10PN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 18130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR10PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR10PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR10PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR10PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR10PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR10PNH6730 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2439 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR10PNH6730XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR10PNH6730XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR11002FMAHWS | Vishay Electro-Films | Description: BCR 1% +/-250PPM WS Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Supplier Device Package: 0202 Number of Terminations: 2 Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Tolerance: ±1% Power (Watts): 0.25W, 1/4W Packaging: Tray Composition: Thin Film Size / Dimension: 0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm) Temperature Coefficient: ±250ppm/°C Package / Case: 0202 (0505 Metric) Resistance: 110 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR1100AFKAHWS | Vishay | Thin Film Resistors - SMD BCR 1% +/-100ppm WS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR1100AGMAHWS | Vishay Electro-Films | Description: BCR 2% +/-250PPM WS Resistance: 110 Ohms Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Supplier Device Package: 0202 Number of Terminations: 2 Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Composition: Thin Film Size / Dimension: 0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm) Temperature Coefficient: ±250ppm/°C Package / Case: 0202 (0505 Metric) Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Tolerance: ±2% Power (Watts): 0.25W, 1/4W Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112 | infineon | 04+ SOT-23 | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112 | Infineon Technologies | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 140MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Kind of transistor: BRT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 38373
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
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| BCR112-E6327 | Infineon | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCR112E6327 Produktcode: 112172
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 140, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uсe, B = 0,3, Р, Вт = 0,2,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 23973 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | auf Bestellung 53085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR112E6327HTSA1 | Infineon | NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BCR112E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 140MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 234000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR112E6327HTSA1 | Infineon | BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327 SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR112E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 23973 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR112F | INFINEON | SOT23 | auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112F | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112F/DTC143EM | INFINEON | 09+ | auf Bestellung 84018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112R6327 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BCR112T | 10+ SOT-523 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCR112T/DTC143EE | INFINEON | 09+ | auf Bestellung 33018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112W | Infineon Technologies | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112WE6327 | INFINEON | 00+ | auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112WE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112WF | Infineon | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCR112WH6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR112WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC70,SOT323; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SC70; SOT323 Current gain: 20 Mounting: SMD Frequency: 140MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR112WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 48338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR112WH6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR112WH6327XTSA1 - BCR112 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1521 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR112WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR112WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 17600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR112ЎЎE6327 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BCR114/DTC143XK | INFINEON | 09+ | auf Bestellung 147018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR114F | INFINEON | SOD323 | auf Bestellung 4690 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116 | INFIN | 09+ | auf Bestellung 150018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116 Produktcode: 94439
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCR116 | Infineon Technologies | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116/WG | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BCR116E6327 | Infineon | SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116E6327 Produktcode: 198302
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 39000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 345000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | auf Bestellung 157776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 468000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR116E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR116 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 39934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 58462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 468000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR116E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR116 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 39934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116E6327HTSA1 | Infineon | SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116E6393 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 150 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116E6393HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116E6393HTSA1 | Infineon Technologies | BCR116E6393HTSA1 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116L3 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116L3 E6327 | INFINEON | BGA-WG PB-FREE | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116L3E6327BGA-WGPB-FREE | INFINEON | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCR116S | Infineon Technologies | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116S | INFINEON | 05+NOP | auf Bestellung 1443 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116S H6327 | Infineon | BCR116S H6327 BCR116SH6327XTSA1 SOT-363 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116SE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116SE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR116SE6327 - BCR116 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3666 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116SE6327 | INFINEON | 07+ | auf Bestellung 15010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116SH6327 | Infineon | SOT-363 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT363 Frequency: 150MHz Collector current: 0.1A Mounting: SMD | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116SH6327 WGs | Infineon | 2NPN 50V 100mA 150MHz 250mW BCR116SH6327XTSA1 BCR116SH6327 Infineon TBCR116s Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BCR116SH6327 Transistor Produktcode: 202482
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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