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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPT043N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.1 EUR
10+8.13 EUR
50+6.41 EUR
100+5.87 EUR
500+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 174A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 3872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.9 EUR
10+8 EUR
100+5.78 EUR
500+5.37 EUR
1000+5.09 EUR
2000+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.2 EUR
50+7.57 EUR
100+5.65 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+5.22 EUR
500+4.87 EUR
1000+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+5.22 EUR
500+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.58 EUR
26+6.41 EUR
50+5.8 EUR
100+4.34 EUR
500+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.65 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.27 EUR
27+6.34 EUR
50+5.82 EUR
100+4.44 EUR
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.79 EUR
35+6.64 EUR
100+4.34 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.25 EUR
58+2.87 EUR
62+2.57 EUR
100+2.4 EUR
250+2.28 EUR
500+2.11 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.49 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.34 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+5.84 EUR
100+4.14 EUR
500+3.58 EUR
2000+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.25 EUR
58+2.93 EUR
62+2.68 EUR
100+2.55 EUR
250+2.48 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT05.5G33R-T005Honeywell AerospaceDescription: IPT05.5G33R-T005
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT05.5G33R-T007Honeywell AerospaceDescription: IPT05.5G33R-T007
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT05.5G33R-T009Honeywell AerospaceDescription: IPT05.5G33R-T009
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT05.5G33R-T011Honeywell AerospaceDescription: IPT05.5G33R-T011
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5Infineon Technologies IFX FET >100-150V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.71 EUR
10+6.2 EUR
100+5.65 EUR
500+5.24 EUR
1000+5.05 EUR
2000+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.12 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.9 EUR
10+7.97 EUR
50+6.3 EUR
100+5.75 EUR
500+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.97 EUR
27+8.7 EUR
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.12 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3Infineon
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.63 EUR
10+8.44 EUR
100+6.78 EUR
500+6.03 EUR
1000+5.71 EUR
2000+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.33 EUR
25+14.41 EUR
50+13.53 EUR
100+12.76 EUR
250+12.17 EUR
500+11.66 EUR
1000+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.15 EUR
38+4.38 EUR
50+4.07 EUR
100+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.4 EUR
10+8.29 EUR
100+6.14 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.4 EUR
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.81 EUR
24+7.09 EUR
50+6.21 EUR
100+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.87 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.07 EUR
39+4.41 EUR
50+4.16 EUR
100+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 155А; 375Вт; PG-HSOF-8-1 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.59 EUR
25+6.91 EUR
28+6.12 EUR
100+4.9 EUR
250+4.78 EUR
500+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.79 EUR
10+8.6 EUR
50+6.81 EUR
100+6.24 EUR
500+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.45 EUR
25+7.01 EUR
50+6.24 EUR
100+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
30+7.75 EUR
100+5.68 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.59 EUR
25+6.76 EUR
28+5.89 EUR
100+4.64 EUR
250+4.41 EUR
500+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT05A16-8PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
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IPT05A16-8SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
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IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 16.2A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+6.62 EUR
100+4.96 EUR
500+4.49 EUR
1000+4.36 EUR
2000+4.25 EUR
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IPT063N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 3562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.97 EUR
35+6.75 EUR
100+4.99 EUR
500+3.83 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 16.2A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+4.9 EUR
500+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 16.2A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 16.2A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 3562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.99 EUR
500+3.83 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 16.2A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+4.9 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.5 EUR
10+7.7 EUR
50+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6Infineon Technologies IFX FET >150 - 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.47 EUR
27+6.28 EUR
30+5.44 EUR
100+5.2 EUR
250+4.96 EUR
500+4.72 EUR
1000+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
auf Bestellung 13511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.24 EUR
10+9.64 EUR
50+7.66 EUR
100+7.02 EUR
500+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 5715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+6.85 EUR
100+6.41 EUR
500+5.95 EUR
1000+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
auf Bestellung 4698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.01 EUR
10+9.48 EUR
100+6.91 EUR
500+6.66 EUR
2000+6.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
17+14.09 EUR
20+10.95 EUR
50+10.2 EUR
100+8.51 EUR
250+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.72 EUR
20+8.63 EUR
50+6.69 EUR
100+6.05 EUR
500+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 137A; Idm: 548A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 137A
Pulsed drain current: 548A
Power dissipation: 300W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
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IPT067N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
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