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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTMFS015N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.2 EUR
39+5.99 EUR
100+3.96 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.93 EUR
61+2.77 EUR
62+2.63 EUR
100+2.49 EUR
250+2.34 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 34655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.37 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V 15MOHM PQFN56
auf Bestellung 2901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+5.38 EUR
100+4 EUR
500+3.44 EUR
3000+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.37 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.64 EUR
6000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
21+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
auf Bestellung 22472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.5 EUR
3000+0.46 EUR
4500+0.44 EUR
7500+0.42 EUR
10500+0.4 EUR
15000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS020N06CT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.51 EUR
1500+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS022N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS022N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V 22MOHM PQFN56
auf Bestellung 4244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+3.42 EUR
100+2.48 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.14 EUR
3000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS022N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
60+3.93 EUR
100+2.62 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 18229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.39 EUR
100+2.44 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS024N06CT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 158A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
22+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+3.12 EUR
100+2.49 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS034N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V 34MOHM PQFN56
auf Bestellung 5138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.75 EUR
3000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS034N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.12 EUR
126+1.84 EUR
131+1.64 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+1.82 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS034N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
126+1.84 EUR
131+1.64 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.15 EUR
25+7.72 EUR
100+7.31 EUR
250+6.9 EUR
500+6.51 EUR
1000+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N003CON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N003CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.74 EUR
500+7.58 EUR
1000+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 62948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.06 EUR
10+13.77 EUR
100+11.47 EUR
500+10.13 EUR
1000+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N003ConsemiMOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6CLIP
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.82 EUR
10+10.61 EUR
25+10.56 EUR
100+9.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N003CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.87 EUR
28+8.52 EUR
100+7.74 EUR
500+7.58 EUR
1000+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N004CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.02 EUR
38+6.22 EUR
100+4.34 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N004CON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N004CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.34 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N004CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.59 EUR
18+13.07 EUR
22+9.88 EUR
50+8.78 EUR
100+7.66 EUR
250+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N2D5ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.84 EUR
10+10.79 EUR
100+7.94 EUR
500+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N2D5ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N2D5Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.96 EUR
10+8.79 EUR
100+7.5 EUR
500+7.28 EUR
1000+6.94 EUR
3000+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.59 EUR
18+13.07 EUR
22+9.88 EUR
50+8.78 EUR
100+7.66 EUR
250+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D4N04XMonsemi 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D4N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.68 EUR
3000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D4N04XMT1GONN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
auf Bestellung 5907 Stücke:
Lieferzeit 360-364 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+4.82 EUR
100+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D4N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 509A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.52 EUR
45+5.18 EUR
100+3.67 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D4N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.68 EUR
3000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D4N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 509A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.67 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D55N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D55N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 2048850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
10000+2.05 EUR
100000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.11 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D55N03CGT1GONN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 30V N-Channel, SO8-FL
auf Bestellung 1049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.71 EUR
100+2.59 EUR
500+2.23 EUR
1500+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1GONN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1GonsemiMOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
auf Bestellung 3582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+3.2 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.77 EUR
1500+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
87+1.94 EUR
88+1.84 EUR
100+1.74 EUR
250+1.64 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
59+3.95 EUR
100+2.83 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
87+1.99 EUR
88+1.92 EUR
100+1.84 EUR
250+1.78 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XLT1GonsemiDescription: 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9444 pF @ 20 V
auf Bestellung 2338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
10+4.96 EUR
100+3.5 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 455A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XLT1GonsemiDescription: 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9444 pF @ 20 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XLT1GONN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XLT1GonsemiMOSFETs 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.96 EUR
100+3.69 EUR
500+3.25 EUR
1500+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
10+4.43 EUR
100+3.08 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.12 EUR
88+1.92 EUR
90+1.8 EUR
100+1.65 EUR
250+1.57 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1GonsemiMOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+3.52 EUR
100+2.64 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.05 EUR
1500+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.94 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.12 EUR
88+1.96 EUR
90+1.87 EUR
100+1.75 EUR
250+1.7 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.4 EUR
59+3.96 EUR
100+2.94 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D5N04XMT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1GonsemiMOSFETs LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
auf Bestellung 4334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+3.67 EUR
100+2.51 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 520 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 433A; Idm: 900A; 200W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 433A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 200W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
auf Bestellung 5392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.18 EUR
10+3.36 EUR
100+2.31 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1GONN
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 520 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.55 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.64 EUR
3000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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