Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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| IRF7749L2TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 125W Technology: HEXFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7749L2TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms 200nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7749L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7749L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7749L2TRPBF Produktcode: 168900
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF7750 | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750 | IR | TSSOP-8 | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750 7750 | IOR | 09+ TSSOP-8 | auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750TR | IOR | 2000 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750TRPBF | International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ, Udss, В = -20, Id = 4,7, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ -15, Qg, нКл = 26, Rds = 0,030 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -0,8 В,... Транзистори Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke | verfügbar 10 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7750TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL, 20V, 4.7A, TSSOP-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7751 | IR | 07+ TSSOP-8 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7751 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7751GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7751TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7751TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7751TRPBF | IOR | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF7752 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7752GPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7752GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7752GTRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.6A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7752GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7752HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7752TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7752TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7752TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7752TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.6A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7752TRPBF | IOR | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF7752TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7754 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7754 | IR | TSSOP-8 | auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7754GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7754GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7754GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7754TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7754TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7754TRPBF | IOR | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF7755 | IR | TSSOP-8 | auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7755 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7755GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7755GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7755TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7755TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7755TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7755TRPBF | IOR | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF7755TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7756 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7756 | IR | TSSOP-8 | auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7756GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7756GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7756GTRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7756TR | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7756TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7756TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7756TRPBF | IOR | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF7756TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7757 | IR | TSSOP-8 | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7757TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7757TRPBF | IOR | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF7757TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7757TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 4.8A | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TR1PBF | Infineon | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF7759L2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC | auf Bestellung 3745 Stücke: Lieferzeit 409-413 Tag (e) |
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| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 125W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 1231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 26A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 200nC On-state resistance: 2.3mΩ Power dissipation: 125W Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 26A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7759L2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 1231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7762TRLPBF | Rochester Electronics, LLC | Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC | auf Bestellung 15791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF Produktcode: 107945
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V | auf Bestellung 10541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRF7769L1TRPBF | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7769L1TRPBFTR | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 71 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7769L2TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7769L2TR1PBF Transistore Produktcode: 103126
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF7769L2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7769L2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7769L2TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 124A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 124A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 125W Technology: HEXFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
