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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC
auf Bestellung 22348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.7 EUR
10+1.39 EUR
100+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.7 EUR
4000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.25 EUR
142+1.02 EUR
143+0.99 EUR
166+0.84 EUR
250+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
12+1.53 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.71 EUR
240+0.6 EUR
252+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
4000+0.41 EUR
16000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7821UTRPBFIRSOP8 0701+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7822
Produktcode: 27356
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5500/44
JHGF: SMD
verfügbar: 5 St.
    1+1.26 EUR
    10+1.1 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822IRSO-8
    auf Bestellung 30000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822Infineon / IRMOSFETs
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822HRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Packaging: Tube
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=30V, Id=18A, 6.5 mOhms @ 15A, 10V, P=3.1W, 5500pF @ 16V, -55 to +155C).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 44nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRIR03+
    auf Bestellung 4310 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRInfineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRHRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRLInfineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRLPBFInfineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 18A 6.5mOhm 44nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRRInfineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7822TRRPBFInfineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7823IOR09+
    auf Bestellung 729 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7823TRPBFIOR
    auf Bestellung 40000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7828Infineon / IRMOSFETs
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7828IR07+ SO-8
    auf Bestellung 30000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7828HRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7828PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 4.5V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7828PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 9.3nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7828TRHRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7828TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7828TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 13.6A 12.5mOhm 9.3nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7828TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831IR07+ SO-8
    auf Bestellung 30000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.6mOhms 40nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7831PBF - IRF7831 - HEXFET POWER MOSFET
    tariffCode: 85412900
    productTraceability: No
    rohsCompliant: YES
    euEccn: NLR
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: TBA
    usEccn: EAR99
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
    auf Bestellung 81 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 81 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tube
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.69 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFInternational RectifierТранзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.68 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 21A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 2.5W
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
    auf Bestellung 124 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 960 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    216+0.68 EUR
    217+0.67 EUR
    Mindestbestellmenge: 216 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Part Status: Not For New Designs
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 9287 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    651+0.84 EUR
    1000+0.78 EUR
    Mindestbestellmenge: 651 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC
    auf Bestellung 923 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.48 EUR
    10+1.81 EUR
    100+1.24 EUR
    500+0.98 EUR
    1000+0.9 EUR
    2000+0.83 EUR
    4000+0.78 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15, Qg, нКл = 60 @ 4,5 В, Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
    verfügbar 1 Stücke:
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 21A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 2.5W
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
    auf Bestellung 124 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBF
    Produktcode: 29859
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    		Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7831TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±12V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Part Status: Not For New Designs
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832
    Produktcode: 30575
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    		IRTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 30
    Idd,A: 20
    Rds(on), Ohm: 01.04.2000
    Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
    JHGF: SMD
    auf Bestellung 40 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    1+0.98 EUR
    10+0.81 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 12290 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    73+2 EUR
    82+1.73 EUR
    141+0.96 EUR
    500+0.81 EUR
    1000+0.62 EUR
    2500+0.57 EUR
    5000+0.52 EUR
    10000+0.51 EUR
    Mindestbestellmenge: 73 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 3800 Stücke
    verfügbar 19 Stücke:
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 40 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+1.79 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRIR0539+ SOP-8
    auf Bestellung 67810 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRPBF
    Produktcode: 30646
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 30 V
    Idd,A: 16 A
    Rds(on), Ohm: 4 mOhm
    Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
    JHGF: SMD
    auf Bestellung 10 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 2392 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    602+0.91 EUR
    1000+0.83 EUR
    Mindestbestellmenge: 602 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    4000+0.63 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 3850 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    88+1.67 EUR
    100+1.57 EUR
    250+1.48 EUR
    500+1.39 EUR
    1000+1.33 EUR
    2500+1.27 EUR
    Mindestbestellmenge: 88 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 6235 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    74+1.98 EUR
    111+1.31 EUR
    500+1.01 EUR
    1000+0.9 EUR
    2000+0.82 EUR
    4000+0.74 EUR
    Mindestbestellmenge: 74 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 47 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 47 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
    auf Bestellung 16000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4000+0.83 EUR
    8000+0.78 EUR
    12000+0.75 EUR
    Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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    IRF7832TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 20A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
    Verlustleistung: 2.5W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 155°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
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    IRF7832TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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    IRF7832TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 30V
    Drain current: 20A
    Power dissipation: 2.5W
    Case: SO8
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
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    IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
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    IRF7832TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 30V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 20A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
    Verlustleistung: 2.5W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOIC
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 155°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
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    IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
    auf Bestellung 16953 Stücke:
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    1000+0.97 EUR
    2000+0.9 EUR
    Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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    IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
    auf Bestellung 727 Stücke:
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    IRF7832TRPBF-1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
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