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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7832TRPBF
Produktcode: 30646
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Montage: SMD
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 10 St.
  • 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
auf Bestellung 31947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
50+1.57 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
100+1.87 EUR
250+1.76 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
113+2.06 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
127+1.32 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.79 EUR
4000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
127+1.36 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.84 EUR
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 363 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
602+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1 EUR
8000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.87 EUR
12000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.82 EUR
8000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
113+2.06 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
602+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
131+1.31 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF-1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+1.82 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832UTRPBFIR
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832ZIOR09+
auf Bestellung 12963 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832ZPBFIOR09+
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832ZTRPBFIRSOP8
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834IRSO-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
83+2.03 EUR
93+1.75 EUR
101+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834PBFIRSOP 09+
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 29nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 19A 4.5mOhm 29nC
auf Bestellung 3539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7834TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7835IR05+ SOP-8;
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7835TRPBFIOR
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7836IOR09+
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7836TRPBFIOR
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842
Produktcode: 23544
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842PBF
Produktcode: 23513
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/33
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842PBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBF
Produktcode: 113287
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.82 EUR
101+1.71 EUR
132+1.27 EUR
250+1.24 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
auf Bestellung 4441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.01 EUR
100+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.99 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
auf Bestellung 7880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
250+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.67 EUR
96+1.76 EUR
101+1.62 EUR
132+1.18 EUR
250+1.13 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
98+2.39 EUR
250+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
126+1.36 EUR
200+1.29 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7843TRPBFIOR
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853IR10+ DIP6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853PBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853PBFInfineonMOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853PBF
Produktcode: 50382
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 8,3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1640/28
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7853; IRF7853TR; IRF7853TR TIRF7853
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
auf Bestellung 6392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.71 EUR
50+2.05 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
91+2.57 EUR
136+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 18955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.64 EUR
87+1.93 EUR
100+1.67 EUR
500+1.27 EUR
4000+0.96 EUR
12000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 18955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
136+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.96 EUR
8000+0.87 EUR
12000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.43 EUR
56+1.55 EUR
100+1.06 EUR
250+0.92 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.96 EUR
8000+0.84 EUR
12000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.67 EUR
100+1.82 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.26 EUR
4000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7854International RectifierN-MOSFET HEXFET 10A 80V 2.5W 0.0134Ω IRF7854 TIRF7854
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7854Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7854PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7854PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 316000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.32 EUR
160000+1.19 EUR
240000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.94 EUR
189+0.9 EUR
192+0.88 EUR
250+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
auf Bestellung 4754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.84 EUR
10+1.54 EUR
100+1.34 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.15 EUR
4000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7854TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
100+2.34 EUR
250+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7854TRPBFInfineonMOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC Транзистори
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IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+0.99 EUR
176+0.95 EUR
200+0.93 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
auf Bestellung 14208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.74 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7854TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
250+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.95 EUR
186+0.9 EUR
189+0.86 EUR
192+0.81 EUR
250+0.76 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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IRF7855IR
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7855Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7855PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+10.83 EUR
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