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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA1162GT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162GT1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 137880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.05 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162GT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 137880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162GT1ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1162GT1 - 2SA1162GT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LF(DToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LF(DToshiba2SA1162S-GR,LF(D
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.044 EUR
100000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 15152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LF(DToshiba2SA1162S-GR,LF(D
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 15152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-Y, LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-Y, LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-Y,LF(DToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
985+0.67 EUR
1068+0.61 EUR
10000+0.54 EUR
100000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 985 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-Y,LF(DToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YN/A09+
auf Bestellung 12018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162Y(SY)TOSHIBA
auf Bestellung 35370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT1ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.05 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT5LTToshibaBipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163TOSHIBASOT-23
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163Toshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BLTOSHIBASOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL(5LGH,FTToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL(TE85R)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF
Produktcode: 208164
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 51653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.086 EUR
15000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 16970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
70+0.3 EUR
112+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.62 EUR
663+0.35 EUR
1056+0.2 EUR
1433+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.62 EUR
663+0.35 EUR
1056+0.2 EUR
1433+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 903 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR(TE85R)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR(TE85R,FToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
75+0.29 EUR
120+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
auf Bestellung 7360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1520+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 13932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.21 EUR
1985+0.087 EUR
2013+0.084 EUR
6000+0.081 EUR
12000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 25701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+0.57 EUR
710+0.32 EUR
1127+0.19 EUR
1541+0.14 EUR
1746+0.12 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 437 Stücke
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2SA1163-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 25701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
437+0.57 EUR
710+0.32 EUR
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1541+0.14 EUR
1746+0.12 EUR
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2SA1163-GRTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT VCEO -120V Audio IC -100mA IB 10dB
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SA11630BLTOSHIBASOT23
auf Bestellung 1574 Stücke:
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2SA117TO-39
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2SA1171PEPHILIPS02+
auf Bestellung 2810 Stücke:
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2SA1171PETR
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2SA1173NEC
auf Bestellung 7000 Stücke:
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2SA1173-T1NECSOT-89
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2SA1173-T2KEC09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
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2SA1173-T2/PLNEC
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2SA1174NEC
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2SA1174 TLROHM
auf Bestellung 280 Stücke:
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2SA1174TLROHM
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2SA1175 (F94M)
Produktcode: 185050
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 180 MHz
Spannung Uce, V: 50 В
Spannung Ucb, V: 60 В
Strom Ic, A: 0,1 А
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2SA1175-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SA1175-T-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SA1178SK00+ TO126
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2SA1178M5-TB
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2SA1179SANYO
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2SA1179-6-TB-ESanyoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A 3-CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3620+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3620 Stücke
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2SA1179-6-TB-EON Semiconductor2SA1179-6-TB-E
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5455+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5455 Stücke
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2SA1179-6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SA1179-6-TB-EON Semiconductor2SA1179-6-TB-E
auf Bestellung 21000 Stücke:
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5455+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5455 Stücke
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2SA1179-7-TB
auf Bestellung 2985 Stücke:
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2SA1179-M5-TBSANYOSOT-23 92+
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2SA1179-M6SOT223-3
auf Bestellung 411 Stücke:
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2SA1179/M6SANYOSOT-23
auf Bestellung 24000 Stücke:
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2SA1179M5SANYOSOT-23
auf Bestellung 600 Stücke:
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2SA1179M6-TASANYOSOT23-M6
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2SA1179M6-TA SOT23-M6SANYO
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2SA1179M6-TASOT23-M6SANYO
auf Bestellung 2400 Stücke:
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2SA1179M6\M6SANYOSOT-23
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2SA1179M7-TBSANYO09+
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2SA1179N6-CPASANYO07+ SOT-23
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2SA1179N6-CPA-TBSONYOSOT23
auf Bestellung 1021 Stücke:
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2SA1179N6-CPA-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5229000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SA1179N6-CPA-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 6408525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
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2SA1179N6-CPA-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
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2SA1179N6-CPA-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1179N6-CPA-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6399000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
100000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
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2SA1179N6-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 247962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
100000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1179N6-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A 3-CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 247962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
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2SA1179N6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179N6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SA1179N6-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A 3-CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA118TO-39
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1180N/A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1182ROHM09+
auf Bestellung 5018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1182Toshiba
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1182-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 10850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
70+0.3 EUR
112+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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2SA1182-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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