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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT1232WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT1232WAYPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.84 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT12F60KMICROSEMITO220AB/12 A, 600 V, 0.62 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT12F60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT12F60KMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT12GT60BR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT12GT60BRGMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 600V 25A 108W TO247
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT12GT60KR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT12M80BMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS8 800 V 12 A TO-247
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
100+7.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT12M80BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT12MMCLRPRO POWERDescription: PRO POWER - APT12MMCLR - PACKAGING TAPE PP 12MM X 66M
tariffCode: 39191080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
Rollenlänge - imperial: 216ft
isCanonical: Y
hazardous: false
Bandbreite - Imperial: 0.47"
rohsPhthalatesCompliant: NA
Rollenlänge - metrisch: 66m
Bandbreite - Metrisch: 12mm
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Transparent
Produktpalette: Pro Power - Clear Packaging Tapes
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003DHZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003DI-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 24 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003DI-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003DI-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 24 W
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
75+0.49 EUR
150+0.43 EUR
525+0.35 EUR
1050+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003DU-E1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN DARL 450V 1.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003DU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003DU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003DZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003DZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 250V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 1.1W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003EU-E1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003EU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003EU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003EU-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 3-Pin TO-126 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003EZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003EZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003EZTR-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 1100mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003HU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003HU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W
auf Bestellung 3635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003HZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003HZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003HZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003LZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 0.8A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 300mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003LZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003NZTR-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003NZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 530V NPN HV Trans 900Vces 10Vebo 1.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003NZTR-G1DIODES INC.Description: DIODES INC. - APT13003NZTR-G1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 530 V, 1.5 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 530V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003NZTR-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003NZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 900V 1.5A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003SU-E1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A TO126
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 250mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003SU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003SU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003SZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003SZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003XZTR-E1Diodes IncorporatedDiodes Inc.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003XZTR-E1Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003XZTR-G1Diodes IncorporatedDiodes Inc.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13003XZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005DI-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005DI-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 4A TO-251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005DT-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005DT-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 4A TO-220-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005DTF-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo
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3+1.65 EUR
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APT13005DTF-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 4A TO-220F-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 28 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005SI-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005SI-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 3.2A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005STF-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 28W
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005STF-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 3.2A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 28 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005SU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005SU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 3.2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005T-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005T-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005TF-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
auf Bestellung 935 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13005TF-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 28 W
Produkt ist nicht verfügbar
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APT130SM70BMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology
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APT130SM70BMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 700V 110A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 700 V
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APT130SM70JMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 700V SOT227
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APT130SM70SMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 700V D3PAK
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APT13F120BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT13F120BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 25 V
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.28 EUR
100+17.27 EUR
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APT13F120BMicrosemi(MFET,N-CH,1200V,13A,TO-247) Транзистори
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APT13F120BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 1200 V 13 A TO-247
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APT13F120BMICROSEMITO247/N-CHANNEL POWER FREDFET - MOS8 APT13F120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT13F120SMICROSEMID3PAK/13 A, 1200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT13F120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT13F120SMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
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APT13F120SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT13GP120B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT13GP120BDF1
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT13GP120BDQ1GMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT13GP120BDQ1GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 41A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns
Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off)
Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13GP120BDQ1GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 13 A TO-247
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.54 EUR
100+10.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13GP120BGMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13GP120BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 13 A TO-247
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.1 EUR
100+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13GP120BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 41A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns
Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off)
Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13GP120BGMICROSEMITO-247/41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT13GP120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13GP120BSC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13GP120K
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT13GP120KGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 1200V 41A 250W TO220
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 55 nC
Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 114µJ (on), 165µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14050JVFRMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14050JVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14050JVFRXWL
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14050JVRXWL
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14F100BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 1000 V 14 A TO-247
auf Bestellung 1512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14F100BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14F100SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14F100SMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14F100SMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14M100BMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14M100BMICROSEMITO-247/14 A, 1000 V, 0.88 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT14M100
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14M100BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14M100SMICROSEMID3PAK/14 A, 1000 V, 0.88 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT14M100
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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