Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN2020LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 2318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2020LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 2318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2020LSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2020LSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-59-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2020LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2020UFCL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V | auf Bestellung 1146000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2020UFCL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC | auf Bestellung 6716 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2020UFCL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUFDFN | auf Bestellung 1148299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2022UCA4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-4 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UCA4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Supplier Device Package: X4-DSN1717-4 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2022UCA4-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UDH-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UDH-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UDH-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8 Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UDH-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UDH-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2022UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2022UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2022UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2022UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2022UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2022UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 46979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2022UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2022UNS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UNS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UNS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2022UNS-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2022UNS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333 Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2022UNS-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2022UNS-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2023LSD | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF | auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2023UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X1-WLB1818-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X1-WLB1818-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2023UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2023UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2023UCB4-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.45W Case: X1-WLB1818-4 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X1-WLB1818-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024LCA4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313- Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024LCA4-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024LCA4-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-4 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024U | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024U-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | auf Bestellung 50619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 7868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 432000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024U-7-ML | MOSLEADER | Description: N 20V 6.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UDH-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UDH-7 | Diodes Zetex | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UDH-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN3030-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 950mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UDH-7 | Diodes Zetex | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UFDF-7 | Diodes Zetex | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | auf Bestellung 22690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFDF-7 | Diodes Zetex | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFU-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UFU-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 810mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UFU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0202 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 810mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0202ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 810mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFU-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 3K | auf Bestellung 5969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UFU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 810mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UFU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0202 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 810mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0202ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 810mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFU-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 920mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN2050-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UFX-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 920mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN2050 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 920mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFX-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFX-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 920mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN2050 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 920mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UFX-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN2024UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 312000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 313460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 384000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2024UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | auf Bestellung 89867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN2024UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | auf Bestellung 87500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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