Produkte > IPP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPP052NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP054NE8NGHKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP055N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP055N03LG | infineon | 08+ | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP055N03LGHKSA1 - IPP055N03L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTO tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP055N03LGXKSA1 Produktcode: 202356
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | auf Bestellung 1104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP057N06N3 Produktcode: 113416
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| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 80 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,4 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/61 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPP057N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP057N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP057N06N3GXKSA1 Produktcode: 207071
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V | auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N06N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP057N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V | auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 133000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N15NM6AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP057N15NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package | auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP05CN10L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP05CN10N | INFINEON | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP05CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2 | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 314-318 Tag (e) |
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| IPP05CN10NG | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP05CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP05CN10NGXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP05CN10NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP05CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP05CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP05N03L | INFINEON | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP05N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP05N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP05N03LBG | infineon | 07+ | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP060N06N | Infineon Technologies | Description: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 284 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP060N06N | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 136-140 Tag (e) |
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| IPP060N06NAKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 Produktcode: 202357
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP062NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP062NE7N3G | Infineon Technologies | Description: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP062NE7N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP062NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP065N03LG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V | auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP065N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP065N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP065N03LGXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N03LGXKSA1 - IPP065N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP065N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP065N04N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP065N04NG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V | auf Bestellung 952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP065N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP065N04NGXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N04NGXKSA1 - IPP065N04 - N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP065N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP065N06LG | INF | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP065N06LGAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP069N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V | auf Bestellung 2235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP069N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >150 - 400V | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP069N20NM6AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP06CN10L | INFINEON | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP06CN10L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP06CN10LG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP06CN10LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP06CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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