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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI1060-A-GMSilicon LabsQFN 36/64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1060
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1060-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1060-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1060-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1061-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.71 EUR
25+11.16 EUR
50+10.63 EUR
100+10.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1061-A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI1061-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36
tariffCode: 85423119
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 25MHz
MCU-Familie: Si106x
SVHC: To Be Advised
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s)
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.34 EUR
17+14.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1061-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +20 dBm
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.98 EUR
10+15.9 EUR
25+14.68 EUR
100+12.7 EUR
250+12.04 EUR
500+11.82 EUR
1000+11.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1061-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1061-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1061-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1061-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1061-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +20dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.85 EUR
10+13.6 EUR
25+12.36 EUR
80+11.13 EUR
230+10.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
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 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062-A-GMSilicon LabsQFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1062
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.83 EUR
10+15.27 EUR
25+14.09 EUR
100+13.23 EUR
500+12.82 EUR
1000+12.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 3879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.29 EUR
10+16.76 EUR
25+15.87 EUR
100+14.66 EUR
250+13.93 EUR
500+13.42 EUR
1000+13.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+10.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
12000+0.15 EUR
18000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 220mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
auf Bestellung 9455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
690+0.31 EUR
926+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Gate charge: 2.7nC
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-3
auf Bestellung 29288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 74562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
67+0.31 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 220mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
auf Bestellung 9455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
690+0.31 EUR
926+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1063-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1063-A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI1063-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36
tariffCode: 85423119
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 25MHz
MCU-Familie: Si106x
SVHC: To Be Advised
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s)
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.65 EUR
15+16.2 EUR
25+13.52 EUR
50+12.96 EUR
100+12.47 EUR
250+12.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1063-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.9 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1063-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1063-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1063-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1063-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1063-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1063-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI1064-A-GMSilicon LabsQFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, EZRadio SI1064
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1064-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.95 EUR
10+11.86 EUR
25+10.79 EUR
80+9.71 EUR
230+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI1064-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI1064-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI1064-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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SI1064-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm
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SI1064-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU 64KB 4KB RAM 36QFN
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI1065-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.66 EUR
10+10.69 EUR
25+9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI1065-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
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 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
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SI1065-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 Hz 64 kB +13 dBm
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 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1065-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1065-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm
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SI1065-A-GMRSilicon LabsQFN 36/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, EZRADIO SI1065
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1065X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1065X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1065X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1065X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1065X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1065X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1067X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1067X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1067X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
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SI1067X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1069X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1069X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1069X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1069X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1069X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 0.94A 0.236W 184 mohms @ 4.5V
auf Bestellung 2705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1070X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1070X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1070X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1070X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1070X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+1.31 EUR
313+0.74 EUR
426+0.5 EUR
541+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1070X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
688+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 688 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1070X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.27 EUR
10+0.79 EUR
100+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1070X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1070X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+1.31 EUR
313+0.74 EUR
426+0.5 EUR
541+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1070X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
648+0.27 EUR
655+0.26 EUR
661+0.25 EUR
668+0.24 EUR
674+0.23 EUR
681+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 648 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si1071X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1071X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1071X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1072X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1072X-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1072X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1072X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1072X-T1-GE3
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI1073X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
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SI1073X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1073X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V
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SI1073X-T1-GE3VISHAYSOT26
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SI1077X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
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4+0.88 EUR
10+0.6 EUR
100+0.33 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
895+0.2 EUR
901+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 895 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1077X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
auf Bestellung 4304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
33+0.64 EUR
100+0.37 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1077X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1077X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
497+0.36 EUR
860+0.2 EUR
869+0.19 EUR
902+0.18 EUR
937+0.17 EUR
975+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 497 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1077X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1077X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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