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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHD7N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60E-GE3-XVishayMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60ET-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60ET1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60ET4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60ET4-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60ET5-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD7N60ET5-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD9N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+3.36 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHDGGA120A01Amphenol SocapexRectangular Mil Spec Connectors THERMAL CLAMP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF065N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.4 EUR
10+8.38 EUR
100+7.69 EUR
500+7.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF065N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.66 EUR
10+10.64 EUR
50+8.5 EUR
100+7.81 EUR
500+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF065N60E-GE3VishaySIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF065N60E-GE3VishaySIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF065N60E-GE3VishaySIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF068N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF068N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF068N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12 EUR
10+6.37 EUR
100+5.82 EUR
500+5.71 EUR
1000+5.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF068N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.19 EUR
10+8.18 EUR
50+6.46 EUR
100+5.9 EUR
500+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF068N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.068 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.32 EUR
27+8.63 EUR
100+6.19 EUR
500+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF074N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF074N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.079 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+19.15 EUR
16+15.12 EUR
19+11.52 EUR
50+10.33 EUR
100+8.22 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF074N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.01 EUR
10+10.95 EUR
100+8.73 EUR
500+8.71 EUR
1000+8.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF074N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.26 EUR
10+11.11 EUR
100+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF074N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF074N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.079 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+19.15 EUR
16+15.12 EUR
19+11.52 EUR
50+10.33 EUR
100+8.22 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHF080N60EVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 14A Tube
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 14A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF080N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 14A E SERIES
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.12 EUR
10+5.3 EUR
100+4.82 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF080N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.08 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.07 EUR
37+6.4 EUR
100+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF080N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 96A; 35W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 35W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF080N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.28 EUR
10+6.85 EUR
50+5.38 EUR
100+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF085N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V
auf Bestellung 1581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.17 EUR
10+8.88 EUR
100+6.45 EUR
500+6.14 EUR
1000+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF085N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.39 EUR
10+9.02 EUR
50+7.15 EUR
100+6.56 EUR
500+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF085N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.72 EUR
24+9.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF085N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF085N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.72 EUR
24+9.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF10N40D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF10N40D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.57 EUR
76+2.23 EUR
104+1.57 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF10N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF10N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF110N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.71 EUR
10+5.71 EUR
100+4.99 EUR
500+4.63 EUR
1000+3.42 EUR
2000+3.17 EUR
5000+3.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF110N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.46 EUR
10+5.57 EUR
50+4.33 EUR
100+3.94 EUR
500+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N50C-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.81 EUR
50+5.7 EUR
100+5.21 EUR
500+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.91 EUR
10+4.52 EUR
100+3.2 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.51 EUR
2000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.1 EUR
44+3.89 EUR
54+3.03 EUR
100+2.63 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-E3
Produktcode: 171580
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.1 EUR
44+3.97 EUR
100+2.86 EUR
500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.89 EUR
10+4.5 EUR
50+3.47 EUR
100+3.14 EUR
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+4.44 EUR
100+3.09 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.31 EUR
10+3.17 EUR
100+2.87 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.28 EUR
2000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.18 EUR
50+3.21 EUR
100+2.9 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N65E-GE3Vishay SiliconixSIHF12N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF12N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 70nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI71
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-E3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHF15N60E-E3
Produktcode: 117209
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF15N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 15A TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3
Produktcode: 127335
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+4.02 EUR
100+3.64 EUR
500+3 EUR
1000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF15N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
10+5.25 EUR
50+4.07 EUR
100+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHF15N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHF15N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF15N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF15N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SIHF15N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF16N50C-E3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHF16N50C-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 500V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF18N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF18N50DVishay SiliconixТранзистори
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SIHF18N50DVishay / SiliconixMOSFETs
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SIHF18N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF18N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+4.55 EUR
100+3.36 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.57 EUR
2000+2.48 EUR
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SIHF18N50D-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF18N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.38 EUR
47+5.03 EUR
100+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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SIHF18N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHF18N50D-E3
Produktcode: 188008
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 550 В
Drain-Strom Idd, A: 18 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/38
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8.22 EUR
10+7.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF18N50D-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 18A TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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