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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF7946TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
auf Bestellung 57600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; 96W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 96W
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.28 EUR
73+2 EUR
100+1.89 EUR
200+1.83 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7MS2907Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7MS2907Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin SMD-2
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+456.62 EUR
10+438.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907SCVInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin SMD-2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+745.6 EUR
10+716.41 EUR
25+665.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907SCVInfineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7Y1405CMInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7Y1405CMPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7Y1405CMSCXInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010International RectifierN-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.73 EUR
224+0.63 EUR
391+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.22 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBF
Produktcode: 25040
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 80
Rds(on), Ohm: 0.015
Ciss, pF/Qg, nC: 3830/81
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInternational RectifierMOSFET N-Channel 100V 80A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.56 EUR
50+1.46 EUR
51+1.42 EUR
55+1.32 EUR
100+1.26 EUR
250+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.91 EUR
53+2.76 EUR
100+2.61 EUR
250+2.48 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.29 EUR
100+2.27 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.91 EUR
53+2.76 EUR
100+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.42 EUR
50+2.68 EUR
100+2.41 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.14 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010SPBFInternational RectifierTO-263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInternational RectifierN-CH 100V 80A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.16 EUR
10+4.01 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+3.7 EUR
100+2.69 EUR
500+2.25 EUR
800+2.09 EUR
2400+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF80701IOR01+
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF807D1IRF2001 SMD8
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF807D2IOR01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF807VD1IOR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF807VD1TRPBFIR0650NO
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF809IRSOP-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF809AVSI07+/08+ SOP8
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF810HARRISIRF810
auf Bestellung 93400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF810Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 8A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 93400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
650+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113IR
auf Bestellung 6215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113InfineonN-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113GPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113PBFIOR09+
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 24nC
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRIOR
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineonTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820STMN-кан. MOSFET 500V, 4A, 2.5Ом, 80Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820HARRISIRF820
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.28 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820
Produktcode: 214393
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
JHGF: THT
auf Bestellung 43 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820SiliconixN-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 4 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820
Produktcode: 17799
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500
Idd,A: 02.05.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
JHGF: THT
verfügbar: 12 St.
    1+0.5 EUR
    10+0.42 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820N-кан. MOSFET 500V, 2.5A, 3.0Ом, 50Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820HARRISIRF820
    auf Bestellung 1355 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    429+1.28 EUR
    500+1.13 EUR
    1000+1.02 EUR
    Mindestbestellmenge: 429 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820Harris CorporationDescription: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
    auf Bestellung 4085 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    343+1.32 EUR
    Mindestbestellmenge: 343 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820
    Produktcode: 220162
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		STTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SOT-23
    Uds,V: 500 V
    Idd,A: 0,17 A
    Rds(on), Ohm: 10 Ohm
    Ciss, pF/Qg, nC: 29/1,4
    JHGF: SMD
    auf Bestellung 20 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820 ...N23K ANSiliconixN-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 200 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+1.42 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820ASiliconixN-MOSFET 2.5A 500V 50W 3Ω IRF820A TIRF820a
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 100 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+1.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 500V
    Drain current: 2.5A
    Pulsed drain current: 10A
    Power dissipation: 50W
    Case: I2PAK; TO262
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 3Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 17nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 2.5A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 515 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+4.19 EUR
    10+2.71 EUR
    100+1.87 EUR
    500+1.49 EUR
    1000+1.37 EUR
    2000+1.31 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+4.14 EUR
    10+2.67 EUR
    100+1.83 EUR
    500+1.47 EUR
    1000+1.35 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 129 Stücke:
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    79+1.87 EUR
    80+1.82 EUR
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    Mindestbestellmenge: 79 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 500V
    Drain current: 2.5A
    Pulsed drain current: 10A
    Power dissipation: 50W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 3Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 17nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 844 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    41+1.77 EUR
    50+1.46 EUR
    87+0.83 EUR
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    Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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    IRF820APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 1466 Stücke:
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    1+4 EUR
    10+1.97 EUR
    100+1.37 EUR
    500+1.23 EUR
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    IRF820APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
    auf Bestellung 3562 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+3.94 EUR
    50+1.93 EUR
    100+1.73 EUR
    500+1.39 EUR
    1000+1.28 EUR
    2000+1.19 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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    IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 129 Stücke:
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    79+1.87 EUR
    80+1.78 EUR
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    Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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    IRF820APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 500V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 50W
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    auf Bestellung 252 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 848 Stücke:
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    61+2.44 EUR
    106+1.37 EUR
    110+1.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 61 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRF820APBFInternational RectifierТранзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF820APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
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