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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
JAN2N3293MOTOROLA
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JAN2N3294MOTOROLA
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JAN2N3299MOTOROLA
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JAN2N329AMOTOROLA
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JAN2N329BMOTOROLA
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JAN2N3302MOTOROLA
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Jan2N333MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Jan2N333AMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JAN2N335Microsemi HI-REL [MIL]Description: TRANS NPN 45V 10MA
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Jan2N335AMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JAN2N3380MOTOROLA
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JAN2N3385MOTOROLA
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JAN2N3389MOTOROLA
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Jan2N3418Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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Jan2N3418Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Jan2N3418SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Jan2N3418SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
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JAN2N3419Microsemi HI-REL [MIL]Description: TRANS NPN 80V 3A
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JAN2N3419MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N3419
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Jan2N3419SMicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Jan2N3419SMicrosemi HI-REL [MIL]Description: TRANS NPN 80V 3A
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JAN2N3420MOTOROLA
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JAN2N3420Microsemi HI-REL [MIL]Description: TRANS NPN 60V 3A
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Jan2N3420SMicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Jan2N3420SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 3A TO39
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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JAN2N3421MOTOROLA
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JAN2N3421Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 3A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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JAN2N3421PMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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JAN2N3421PMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N3421SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JAN2N3421SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/393
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JAN2N3421U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 3A U4
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: U4
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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JAN2N3439Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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JAN2N3439MOT
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JAN2N3439Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
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JAN2N3439LNES
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JAN2N3439LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 137 Stücke:
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JAN2N3439LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A TO5
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3439PMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW PinD Test Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3439PMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3439U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A U4
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: U4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3439UAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A UA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3439UAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N344MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3440Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO-39
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3440MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3440MOTOROLA
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3440L
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3440LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO-5
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3440LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3440U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 2UA U4
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: U4
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3440U4Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250 V Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3440UAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3440UAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT SMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3441Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 140V 3A TO66
Grade: Military
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/369
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3441Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140V 3A 3W NPN Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JAN2N3441MOTOROLA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JAN2N3442Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 140V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 6 W
Qualification: MIL-PRF-19500/370
Produkt ist nicht verfügbar
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JAN2N3442Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140V 10A 6W NPN Power BJT THT
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JAN2N3467LMicrosemi CorporationDescription: TRANS PNP 40V 1A TO-3
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JAN2N3467LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Jan2N3485AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO46
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-46
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/392
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Jan2N3485AMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Jan2N3486AMicrosemi HI-REL [MIL]Description: TRANS PNP 60V 0.6A
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Jan2N3498MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Jan2N3498Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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Jan2N3498/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JAN2N3498LMicrosemi HI-REL [MIL]Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO5
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JAN2N3498LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JAN2N3498L/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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Jan2N3499Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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Jan2N3499Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO-39
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Jan2N3499/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
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Jan2N3499LMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO5
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Jan2N3499LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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JAN2N3500Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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