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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SMMBD914LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBD914LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1049+0.24 EUR
1977+0.12 EUR
3497+0.061 EUR
3876+0.055 EUR
4367+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO SPCL
auf Bestellung 47439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.18 EUR
35+0.096 EUR
100+0.077 EUR
500+0.057 EUR
1000+0.046 EUR
3000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 1V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Type of diode: switching
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT23
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1565+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1565 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBD914LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1049+0.24 EUR
1977+0.12 EUR
3497+0.061 EUR
3876+0.055 EUR
4367+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1G
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3Nexperia USA Inc.Description: RECTIFIDIOD0.2100TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT23
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
auf Bestellung 20127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.23 EUR
141+0.14 EUR
229+0.092 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.058 EUR
2000+0.051 EUR
5000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO SPCL
auf Bestellung 16374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.18 EUR
35+0.096 EUR
100+0.083 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.046 EUR
5000+0.036 EUR
10000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 1V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Type of diode: switching
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4391LT1GonsemiDescription: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 826 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4391LT1GonsemiDescription: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET NCH 30V TR
auf Bestellung 5644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+0.75 EUR
100+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.02 EUR
133+0.64 EUR
208+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GonsemiDescription: JFET N-CH 30V SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 225 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.04 EUR
50+0.76 EUR
100+0.68 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GonsemiDescription: JFET N-CH 30V SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ175LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ175LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
59+0.36 EUR
67+0.31 EUR
100+0.27 EUR
250+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ175LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET PCH 30
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.87 EUR
100+0.57 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ175LT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 125Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: -60mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -25V
Type of transistor: P-JFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1onsemiDescription: JFET P-CH SOT23
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
321+0.73 EUR
437+0.49 EUR
556+0.38 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+0.56 EUR
431+0.39 EUR
456+0.37 EUR
554+0.3 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
29+0.73 EUR
50+0.54 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET XSTR SPCL
auf Bestellung 13580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+0.84 EUR
100+0.6 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 300Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: -20mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
321+0.73 EUR
437+0.49 EUR
556+0.38 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ309LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET NCH 25V TR
auf Bestellung 32415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
11+0.32 EUR
100+0.25 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ309LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ309LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
58+0.36 EUR
66+0.32 EUR
100+0.27 EUR
250+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ309LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1onsemiDescription: RF N-CHANNEL, JUNCTION FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1G
Produktcode: 149315
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
63+0.33 EUR
71+0.3 EUR
100+0.25 EUR
250+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+0.6 EUR
700+0.33 EUR
885+0.24 EUR
935+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 17930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GonsemiJFETs SS JFET XSTR SPCL
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.74 EUR
100+0.49 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+0.6 EUR
700+0.33 EUR
885+0.24 EUR
935+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3onsemiDescription: RF N-CHANNEL, JUNCTION FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3GonsemiJFETs SS JFET XSTR SPCL
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.12 EUR
100+0.48 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBJ36AGS/Gener
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1
auf Bestellung 51772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3116+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+0.6 EUR
720+0.32 EUR
1177+0.18 EUR
1659+0.13 EUR
1873+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2096800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11858+0.055 EUR
100000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3068+0.056 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.049 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GONN
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
541+0.46 EUR
981+0.24 EUR
1520+0.14 EUR
2033+0.11 EUR
2075+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3847 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3068+0.056 EUR
6000+0.055 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3059+0.056 EUR
9000+0.052 EUR
27000+0.049 EUR
51000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3059 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3GOn SemiconductorTRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
2000+0.076 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
auf Bestellung 11867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.075 EUR
5000+0.065 EUR
10000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222AWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2940 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222AWT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 40V
auf Bestellung 33800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222AWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
60+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222AWT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369ALT1GonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
532+0.44 EUR
855+0.25 EUR
1370+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369ALT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369ALT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 15V
auf Bestellung 10725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
461+0.5 EUR
730+0.3 EUR
1067+0.2 EUR
1363+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369ALT1GonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 206595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369LT1GONN
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS DUAL COMMON CATHODE
auf Bestellung 5995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2369LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2907ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2907ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 41996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11858+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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