Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRF8707PBF Produktcode: 39735
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 11 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 760/6,2 Bemerkung: - Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF8707PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V SINGLE N-CH 11.9mOhms 6.2nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707TR | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF8707TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8707TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 19486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 10635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8707TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.1A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707TRPBF | IRF8707TRPBF 30 В 11 А (SO-8) SOIC-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF8707TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8707TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714GPBF | auf Bestellung 9080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF8714GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714GTRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC | auf Bestellung 1353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714PBF | Power MOSFET, N-Channel, 14A, 30V SOIC-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF8714PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC Tube | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8714PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 8.7mOhms 8.1nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 1631 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V | auf Bestellung 71893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 7454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg | auf Bestellung 50495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V | auf Bestellung 68000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 1631 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBF Produktcode: 197544
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF8714TRPBF | Power MOSFET, N-Channel, 14A, 30V SOIC-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | auf Bestellung 4162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 93 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8714TRPBFXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8716 | auf Bestellung 2609 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF8721 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721GTRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC | auf Bestellung 3770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC Tube | auf Bestellung 5360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8721PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8721PBF - IRF8721 - 20V-100V N-CHANNEL SMALL POWER tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 106 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 8.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 14 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 2043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721TRPBF Produktcode: 59622
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg | auf Bestellung 3158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8721TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 2043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721TRPBFXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8721TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | IRF8721TRPBFXTMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8721TRPBFXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8721TRPBFXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8734 | IR | SOP-8 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8734 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8734PBF | Power MOSFET, N-Channel, SOIC-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF8734PBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8734PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8734PBF - IRF8734 - 20V-100V N-CHANNEL SMALL POWER tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 649 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8734PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8734PBF Produktcode: 26537
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 21 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0035 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3175/20 Bemerkung: - Montage: SMD | auf Bestellung: 31 St.
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| IRF8734TR (IRF7834 printing) | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF8734TR (IRF7834 printing) | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF8734TR (IRF7834 printing) | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF8734; IRF8734TR; SP001555800; IRF8734; IRF8734TR TIRF8734 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 1188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 116000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V | auf Bestellung 112000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8734TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 21 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3175 @ 15, Qg, нКл = 30 @ 4,5 В, Rds = 3.5 мОм @ 2 1A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2.35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: SOICW-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 1267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 1188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V | auf Bestellung 115430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg | auf Bestellung 6323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 13976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF8736 | International Rectifier | N-MOSFET 30V 18A IRF8736 TIRF8736 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF8736 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |