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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF840STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRPBFIR
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
10+4.44 EUR
50+3.43 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBF
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.83 EUR
10+4.46 EUR
100+3.12 EUR
500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF841Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
202+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF841HARRISIRF841
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.56 EUR
500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF841 TO-220AB
Produktcode: 46011
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF842Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF843Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
203+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF843HARRISIRF843
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF843HARRISIRF843
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8513Infineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8513PBF
Produktcode: 26536
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8-11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 766/5,7
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8513PBFInfineon / IRMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8513PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8513TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8513TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8513TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8520IRMODULE
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707IR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707Infineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707GPBFInfineon / IRMOSFET HEXFET 30V VDSS 11.9mOhm 10V 6.2nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V SINGLE N-CH 11.9mOhms 6.2nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707PBF
Produktcode: 39735
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 11 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 760/6,2
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.33 EUR
10+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707TRInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 19486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1736+0.37 EUR
10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+1.37 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.54 EUR
4000+0.51 EUR
8000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8707TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF8707TRPBFIRF8707TRPBF 30 В 11 А (SO-8) SOIC-8 Транзистори
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IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg
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IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
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IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+1.37 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.54 EUR
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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IRF8707TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
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IRF8707TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF8707TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF8707TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8714Infineon TechnologiesMOSFETs
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IRF8714GPBF
auf Bestellung 9080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF8714GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF8714GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
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IRF8714GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF8714PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 8.7mOhms 8.1nC
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IRF8714PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.19 EUR
168+0.99 EUR
198+0.81 EUR
221+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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IRF8714PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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IRF8714PBFPower MOSFET, N-Channel, 14A, 30V SOIC-8 Транзистори
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IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.37 EUR
200+0.89 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
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IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.67 EUR
12000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8714TRPBF
Produktcode: 197544
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF8714TRPBFPower MOSFET, N-Channel, 14A, 30V SOIC-8 Транзистори
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IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.9 EUR
279+0.61 EUR
282+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
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IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.33 EUR
8000+0.31 EUR
12000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg
auf Bestellung 50495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.15 EUR
100+0.81 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.37 EUR
189+0.88 EUR
191+0.83 EUR
279+0.55 EUR
282+0.52 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
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IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
auf Bestellung 68042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
50+1.26 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
86+2.71 EUR
131+1.64 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.54 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
50+1.31 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
131+1.64 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8714TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+1.18 EUR
114+0.75 EUR
182+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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IRF8716
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC
auf Bestellung 3770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
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IRF8721PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 5360 Stücke:
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221+2.93 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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IRF8721PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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IRF8721PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8721PBF - IRF8721 - 20V-100V N-CHANNEL SMALL POWER
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IRF8721PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 8.3nC
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IRF8721TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
141+1.65 EUR
183+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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IRF8721TRPBFInfineonMOSFET N-CH 30V 14A 8SO Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
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IRF8721TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg
auf Bestellung 3158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+1.23 EUR
100+0.84 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.54 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF8721TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF8721TRPBF
Produktcode: 59622
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IRF8721TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF8721TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2043 Stücke:
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124+2.02 EUR
141+1.65 EUR
183+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
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