Produkte > SSM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| SSM3K35MFV(TPL3) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin VESM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K35MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K35MFV,L3F | Toshiba | MOSFET Small-signal FET 0.18A 20V 20Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K35MFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm | auf Bestellung 4860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K35MFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K35MFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm | auf Bestellung 4860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K35MFV,L3F(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K35MFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K35MFV,L3XGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm | auf Bestellung 5435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K35MFV,L3XGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm | auf Bestellung 5435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K35MFVL3F(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K35MFVL3XGF(T | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K361R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V | auf Bestellung 6317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LF(B | Toshiba | MOSFETs Silicon N-channel MOS | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | auf Bestellung 5870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LF(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.2W; SOT23F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 14A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | auf Bestellung 5870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R,LXGF(T | Toshiba | Silicon N-channel MOS Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.4W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | auf Bestellung 6099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.4W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | auf Bestellung 6099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R,LXHF | Toshiba | MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R,LXHF(B | Toshiba | MOSFETs SOT23 100V 3.5A N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R,LXHF(B | Toshiba | SSM3K361R,LXHF(B | auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LXHF(B | Toshiba | SSM3K361R,LXHF(B | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 269 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361R,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | auf Bestellung 2857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361R,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | auf Bestellung 13621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361RLF(T | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361RLXGF(T | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361TU,LF | Toshiba | MOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V | auf Bestellung 6401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V | auf Bestellung 6402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 202 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361TU,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K361TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LF(T | Toshiba | Silicon N-channel MOS | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 174 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361TU,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361TU,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361TU,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361TU,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM | auf Bestellung 2118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LXHF | Toshiba | MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET | auf Bestellung 2373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM | auf Bestellung 2118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LXHF(B | Toshiba | MOSFETs SOT346 100V 3.5A N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K361TU,LXHF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | auf Bestellung 2928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K361TU,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | auf Bestellung 2928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K36FS | TOS | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K36FS | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FS(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FS(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FS(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM | auf Bestellung 2264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FS,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 4410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K36FS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K36FS,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 4410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K36FS,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FS,LF Produktcode: 187939
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| SSM3K36FS,LF | Toshiba | MOSFETs Small Signal MOSFET | auf Bestellung 16172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K36FS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V | auf Bestellung 34516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K36FS,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FS,LF(B | Toshiba | SSM3K36FS,LF(B | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FS,LF(T | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K36FS,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 44 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FS,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 34 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FS,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K36FS,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FS,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K36FS,LF(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 150mW; SSM Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SSM Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 1.52Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36FSLF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36MFV(TPL3) | Toshiba | MOSFET X34 Pb-F VESM S-MOW (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=<1MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36MFV,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R | auf Bestellung 23625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K36MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V | auf Bestellung 212084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K36MFV,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K36MFV,L3F | Toshiba | MOSFETs Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52 | auf Bestellung 48773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K36MFV,L3F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R | auf Bestellung 23625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K36MFV,L3F(B | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 500mA Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.5A Mounting: SMD Gate charge: 1.23nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 5104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 842 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36MFV,L3F(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM | auf Bestellung 5804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K36MFV,L3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K36MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K36MFVL3F(T | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36MFVTL3T | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SSM3K36TU | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K36TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K36TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K36TU,LF | Toshiba | MOSFETs Sm-signal/Hi-Speed UFM (SOT-323F) | auf Bestellung 87320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K36TU,LF(B | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
