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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 3143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
113+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 4410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
516+0.33 EUR
802+0.2 EUR
810+0.19 EUR
1954+0.077 EUR
1969+0.074 EUR
2017+0.069 EUR
2037+0.065 EUR
3718+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET
auf Bestellung 21883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
10+0.37 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.082 EUR
9000+0.069 EUR
24000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF
Produktcode: 187939
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 4410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1954+0.087 EUR
1969+0.086 EUR
2017+0.081 EUR
2037+0.079 EUR
3718+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1954 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(BToshibaSSM3K36FS,LF(B
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(TToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+0.7 EUR
445+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+0.7 EUR
445+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 150mW; SSM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SSM
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FSLF(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV(TPL3)ToshibaMOSFET X34 Pb-F VESM S-MOW (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=<1MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 416000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.096 EUR
16000+0.087 EUR
24000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 23625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.58 EUR
419+0.39 EUR
423+0.37 EUR
1005+0.15 EUR
1015+0.14 EUR
1608+0.083 EUR
3000+0.082 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 23625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1005+0.17 EUR
1608+0.1 EUR
3000+0.098 EUR
6000+0.08 EUR
15000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 1005 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 432430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
auf Bestellung 119277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM
auf Bestellung 5804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.15 EUR
1141+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFVL3F(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFVTL3T
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TUToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed UFM (SOT-323F)
auf Bestellung 42665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TU,LF(BToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TU,LF(BToshibaSSM3K36TU,LF(B
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376RToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R LXHFToshiba SOT23 N CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
auf Bestellung 17890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
65+0.32 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
auf Bestellung 17890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 5340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+0.87 EUR
466+0.5 EUR
741+0.29 EUR
991+0.21 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 5340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.5 EUR
741+0.29 EUR
991+0.21 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.64 EUR
411+0.4 EUR
502+0.31 EUR
593+0.26 EUR
672+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
502+0.33 EUR
593+0.29 EUR
672+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 502 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
auf Bestellung 4744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 10815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshibaN-Channel 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHF(BToshiba SOT23 N CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
363+0.64 EUR
565+0.38 EUR
758+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
363+0.64 EUR
565+0.38 EUR
758+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376RLF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376RLXHF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
113+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshibaMOSFET Small-Signal MOSFET
auf Bestellung 8717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.55 EUR
10+0.37 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.092 EUR
2500+0.083 EUR
10000+0.075 EUR
20000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST
auf Bestellung 9670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 5475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.5 EUR
814+0.29 EUR
1306+0.17 EUR
1973+0.11 EUR
5000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 9850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1330+0.13 EUR
1374+0.12 EUR
1393+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 5475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.5 EUR
814+0.29 EUR
1306+0.17 EUR
1973+0.11 EUR
5000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CTL3F(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 48559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
110+0.19 EUR
127+0.17 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
9000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
504+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 504 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
auf Bestellung 45783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
16+0.21 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.069 EUR
9000+0.057 EUR
24000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LF(BToshibaSSM3K37FS,LF(B
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2137+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.65 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
345+0.68 EUR
603+0.36 EUR
893+0.24 EUR
1055+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.65 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
345+0.68 EUR
603+0.36 EUR
893+0.24 EUR
1055+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 13096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
463+0.18 EUR
792+0.11 EUR
1109+0.076 EUR
1263+0.068 EUR
2000+0.06 EUR
5000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.079 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
auf Bestellung 18737 Stücke:
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9+0.42 EUR
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100+0.17 EUR
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2500+0.088 EUR
5000+0.055 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaN-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 28830 Stücke:
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3534+0.048 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 28890 Stücke:
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3534+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3534 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 20147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM
auf Bestellung 2550 Stücke:
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2359+0.073 EUR
2500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 2359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.65 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
auf Bestellung 21760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+0.62 EUR
519+0.45 EUR
1217+0.18 EUR
1678+0.13 EUR
1965+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.65 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
auf Bestellung 21760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+0.62 EUR
519+0.45 EUR
1217+0.18 EUR
1678+0.13 EUR
1965+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3F(T)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 13780 Stücke:
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1946+0.087 EUR
1957+0.086 EUR
2278+0.071 EUR
8000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 1946 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFVL3F(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K388R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K388R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.087 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
376+0.62 EUR
654+0.33 EUR
971+0.23 EUR
1151+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K389R,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K389R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K389R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.171 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
322+0.77 EUR
451+0.51 EUR
752+0.29 EUR
1120+0.19 EUR
1291+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 322 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K43FSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
auf Bestellung 28534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
45+0.48 EUR
100+0.25 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44FS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
auf Bestellung 7289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K44FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 246014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
834+0.27 EUR
1352+0.15 EUR
2005+0.11 EUR
2258+0.095 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K44FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 246014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
834+0.27 EUR
1352+0.15 EUR
2005+0.11 EUR
2258+0.095 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K44MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.074 EUR
24000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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