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FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.18 EUR
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FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.57 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8015LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8015LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 24W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.34 EUR
151+1.14 EUR
153+1.08 EUR
184+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8015L-L701onsemiDescription: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8015L-L701onsemiDescription: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
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6+4.13 EUR
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500+1.44 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8015L-L701onsemiMOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8026SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8026SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1+3.36 EUR
10+2.12 EUR
100+1.38 EUR
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1000+1.05 EUR
3000+0.89 EUR
6000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8030ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 837 Stücke:
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147+1.21 EUR
168+1.02 EUR
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198+0.81 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8030ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8030onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 8259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
10+2.19 EUR
100+1.7 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8030ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.05 EUR
198+0.89 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8030On SemiconductorMOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8030ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8030onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.11 EUR
6000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8030onsemiMOSFETs FPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8032LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.84 EUR
6000+0.81 EUR
9000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.8 EUR
229+0.77 EUR
232+0.74 EUR
236+0.71 EUR
250+0.69 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8032LOn SemiconductorMMOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8032LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 606000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
793+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 793 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 595060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
624+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
10000+0.84 EUR
100000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8032Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8032LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
auf Bestellung 11970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
13+1.68 EUR
100+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.81 EUR
225+0.76 EUR
229+0.73 EUR
232+0.69 EUR
236+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
624+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8097AConsemiMOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.31 EUR
10+6.87 EUR
100+4.93 EUR
500+4.41 EUR
1000+4.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8097AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8097ACONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 150/-150V; 2.4/-0.9A; 1.9W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150/-150V
Drain current: 2.4/-0.9A
Power dissipation: 1.9W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V; ±25V
On-state resistance: 2171/306mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8097AConsemi / FairchildMOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
10+6.43 EUR
25+5.71 EUR
100+4.99 EUR
250+4.58 EUR
500+4.32 EUR
1000+3.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8097AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
auf Bestellung 40013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.34 EUR
10+6.89 EUR
100+4.91 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8200ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 18/18A; 1.9/2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 18/18A
Power dissipation: 1.9/2.2W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 32/13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.68 EUR
108+1.64 EUR
134+1.29 EUR
250+1.25 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8200onsemiMOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
3000+0.61 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC8200Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
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FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
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95+1.89 EUR
107+1.62 EUR
108+1.55 EUR
134+1.19 EUR
250+1.13 EUR
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FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC8200onsemi / FairchildMOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench
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FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
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FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
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FDMC8200Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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2+2.48 EUR
10+1.78 EUR
100+1.3 EUR
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3000+0.92 EUR
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FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC8200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 10742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.25 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
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146+1.23 EUR
147+1.2 EUR
168+1.02 EUR
250+1 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
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FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC8200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.96 EUR
6000+0.89 EUR
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FDMC8200S-PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 187651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC8200S_F106ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
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FDMC8296ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH
auf Bestellung 645 Stücke:
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FDMC8296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMC8296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC8296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMC8298ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
712+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 712 Stücke
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FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 2241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.82 EUR
42+4.27 EUR
43+4.06 EUR
100+3.78 EUR
250+3.36 EUR
500+3.21 EUR
1000+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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FDMC8321LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDMC8321LonsemiMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.09 EUR
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FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.08 EUR
83+2.08 EUR
85+1.96 EUR
125+1.27 EUR
250+1.21 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.17 EUR
85+2.08 EUR
125+1.38 EUR
250+1.33 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; Idm: 100A; 40W; Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 19700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+4.08 EUR
100+2.84 EUR
250+2.83 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.15 EUR
3000+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.3 EUR
250+1.83 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LDConsemi / FairchildMOSFETs 40 V N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 3114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.87 EUR
100+2.32 EUR
250+2.31 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.65 EUR
74+2.32 EUR
100+2.02 EUR
250+1.95 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LDCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 320A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V
auf Bestellung 54231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.94 EUR
100+2.38 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LDCON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.65 EUR
74+2.24 EUR
100+1.92 EUR
250+1.8 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8321LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
697+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 697 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 5958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
124+1.88 EUR
133+1.62 EUR
500+1.34 EUR
1500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327Lonsemi / FairchildMOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 51913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.83 EUR
100+1.43 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
auf Bestellung 22326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
13+1.75 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LonsemiMOSFETs PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 34231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.62 EUR
100+1 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.06 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 5958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
124+1.88 EUR
133+1.62 EUR
500+1.34 EUR
1500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LOn SemiconductorMOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 60A; 30W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.65 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327L-L701onsemiDescription: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8327L-L701onsemiDescription: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 240A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+3.12 EUR
100+2.23 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LET40ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 658A; 75W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 658A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.55 EUR
100+1.76 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LET40onsemi / FairchildMOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.68 EUR
100+1.94 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.3 EUR
6000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8360LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8462onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 7338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+3.64 EUR
100+2.93 EUR
250+2.83 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.14 EUR
3000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH