Produkte > IPP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP06CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP06CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP06CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP06CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP06N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP06N03LAHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N06 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPP070N06L G | Infineon Technologies | MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N06L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N06LG | infineon | 08+ | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N06LGAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N06N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N06N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N06NGAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N06NGIN | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N08N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N08N3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 609 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP070N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP070N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V | auf Bestellung 7700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3 G | Infineon | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP072N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3G | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220 Packaging: Tube | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V | auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon | IPP072N10N3GXKSA1 N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 150W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 5460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 159612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 2477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 5460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP073N13NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP073N13NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP073N13NM6AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP073N13NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 98 A, 7000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 158W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP073N13NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 68 V | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP073N13NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP075N15N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3 G | Infineon | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP075N15N3G | Infineon technologies | auf Bestellung 24500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP075N15N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 Produktcode: 122947
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon | IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3 MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 12882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V | auf Bestellung 1009 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 12087 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 12087 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3 G | Infineon | auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP076N12N3G | Infineon Technologies | Description: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V | auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP076N15N5 | Infineon | auf Bestellung 38500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10 Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 5010 Stücke: Lieferzeit 192-196 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP076N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0076 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm | auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V | auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP076N15N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IPP07N03L | INFINEON | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP07N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP080N03L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP080N03LG | infineon | 07+ | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP080N06N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP082N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
