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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF1407PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 6249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
10+3.17 EUR
50+2.42 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
78+3 EUR
100+2.38 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+2.43 EUR
100+2.09 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.61 EUR
5000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 130, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 160, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.25 EUR
2000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.69 EUR
39+2.21 EUR
44+1.95 EUR
50+1.81 EUR
100+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.67 EUR
75+2.27 EUR
100+1.82 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+2.15 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.73 EUR
10000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.68 EUR
65+2.57 EUR
75+2.14 EUR
100+1.69 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInternational RectifierDescription: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
240+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInternational RectifierT0220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.25 EUR
2000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407S
Produktcode: 52433
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBF
Produktcode: 107266
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.77 EUR
100+2.59 EUR
500+2.05 EUR
800+1.86 EUR
2400+1.8 EUR
4800+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
47+4.96 EUR
100+3.56 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+966.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRLPBF : IRF1407STRRPBFInternational RectifierIRF1407STRLPBF : IRF1407STRRPBF IRF1407SPBF MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRRPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160nC
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1407STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF141International RectifierDescription: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF142International RectifierDescription: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF142IR/MOT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF143International RectifierDescription: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
203+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150Semelab / TT ElectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1503
Produktcode: 124973
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1503HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1503LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1503PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1503PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1503PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRF1503SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1503SHRInfineon / IRInfineon
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IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRF1503SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
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IRF1503SPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 3570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.62 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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IRF1503SPBFInfineon
auf Bestellung 3630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRF1503STRLHRInfineon / IRMOSFET
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IRF1503STRLPBFInfineon
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1503STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
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IRF1503STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF1503STRRInfineon / IRInfineon
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IRF1503STRRHRInfineon / IRInfineon
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IRF1503STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1503STRRPBF
Produktcode: 125066
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF150DM115XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 2691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.47 EUR
46+5.15 EUR
100+3.43 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+5.46 EUR
100+3.97 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.01 EUR
2500+2.76 EUR
4800+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 2691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
auf Bestellung 2722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.67 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
auf Bestellung 4785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.44 EUR
10+5.57 EUR
100+3.94 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150NIRTO-3P 09+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220Infineon TechnologiesIRF150P220
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+17.01 EUR
25+15.98 EUR
50+15.01 EUR
100+14.16 EUR
250+13.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.28 EUR
25+9.28 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
auf Bestellung 10931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.28 EUR
25+12.94 EUR
50+11.86 EUR
100+10.96 EUR
500+9.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 2376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.6 EUR
10+12.38 EUR
100+10.78 EUR
400+10.5 EUR
1200+10.01 EUR
2800+8.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.28 EUR
25+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1International Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 203 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 12000 @ 75, Qg, нКл = 200, Rds = 2,7 мОм, Ugs(th) = 4,6, Р, Вт = 556, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 556W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.81 EUR
12+19.64 EUR
15+14.97 EUR
50+13.73 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 316A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 316A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+9.7 EUR
100+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221Infineon TechnologiesIRF150P221
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.37 EUR
25+16.34 EUR
50+15.34 EUR
100+14.47 EUR
250+13.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 113800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+6 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.18 EUR
10000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 3600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 186A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.16 EUR
26+6.75 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.16 EUR
26+6.6 EUR
100+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IRF150P221XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V
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IRF150P221XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A Tube
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IRF150P221XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
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IRF151Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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